集成电路设计导论(第2版)

第1章 绪论
1．1 集成电路的基本概念
1．1．1 集成电路的定义
1．1．2 集成电路的发展史
1．1．3 集成电路的分类
1．2 集成电路的设计与制造流程
1．2．1 集成电路的设计流程
1．2．2 集成电路制造的基本步骤
1．2．3 集成电路工艺技术水平衡量指标
1．3 集成电路的发展趋势
1．3．1 国际集成电路的发展趋势
1．3．2 我国集成电路的发展
复习题
参考文献

第2章 集成电路制造
2．1 集成电路制造的基本要素
2．1．1 集成电路制造的基本要求
2．1．2 标准生产线的几大要素
2．2 主要制造工艺
2．2．1 集成电路制造的基本流程
2．2．2 制造集成电路的材料
2．2．3 硅片制备
2．2．4 氧化
2．2．5 淀积
2．2．6 光刻
2．2．7 刻蚀
2．2．8 离子注入
2．3CMOS工艺流程
2． 3．1 基本工艺流程
2．3．2 闩锁效应及其预防措施
复习题
参考文献

第3章 MOSFET
3．1 MOSFET的结构与特性
3．1．1 MOSFET结构
3．1．2 MOSFET电流一电压特性
3．1．3 MOSFET开关特性
3．2 短沟道效应
3．2．1 载流子速率饱和及其影响
3．2．2 阈值电压的短沟道效应
3．2．3 迁移率退化效应
3．3 按比例缩小理论
3．4 MOSFET电容
3．5 MOS器件小信号模型
3．6 MOS器件SPICE模型
3．6．1 LEVEL1模型
3．6．2LEVEL 2模型
3．6．3 LEVEL 3模型
复习题
参考文献

第4章 基本数字集成电路
4．1 CMOS反相器
4．1．1 CMOS反相器结构与工作原理
4．1．2 静态特性
4．1．3 动态特性
4．1．4 功耗
4．1．5 CMOS环形振荡电路
4．2 典型组合逻辑电路
4．2．1 带耗尽型NMOS负载的MOS逻辑电路
4．2．2 CMOS逻辑电路
4．2．3 CMOS传输门
4．3 典型CMOS时序逻辑电路
4．3．1 RS锁存器
4．3．2 D锁存器和边沿触发器
4．3．3 施密特触发器
4．4 扇入扇出
4．5 互联线电容与延迟
……
第5章 模拟集成电路基础
第6章 超大规模集成电路设计简介
第7章 VLSI的EDA设计方法
第8章 集成电路版图设计
第9章 测试技术
第10章 集成电路封装