数字CMOS VLSI分析与设计基础

**章 MOS晶体管工作原理
1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理
1.2 MOS晶体管的阈值电压分析
1.3 MOS晶体管的电流方程
1.4 MOS晶体管的瞬态特性
第二章 MOS器件按比例缩小
2.1 按比例缩小理论
2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响
2.3 不能按比例缩小的参数的影响
2.4 VLSI发展的实际限制
第三章 CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应
3.1 集成电路制作中的几个基本工艺步骤
3.2 CMOS IC工艺流程
3.3 CMOS IC中的寄生效应
第四章 CMOS反相器和CMOS传输门
4.1 CMOS反相器的直流特性
4.2 CMOS反相器的瞬态特性
4.3 CMOS反相器的功耗
4.4 CMOS反相器的设计
4.5 CMOS和NMOS电路性能比较
4.6 CMOS传输门
第五章 CMOS静态逻辑电路设计
5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点
5.2 CMOS与非门的分析
5.3 CMOS或非门的分析
5.4 CMOS与非门和非门的设计
5.5 组合逻辑电路的设计
5.6 类NMOS电路
5.7 传输门逻辑电路
5.8 差分CMOS逻辑系列
第六章 动态和时序逻辑电路设计
6.1 动态逻辑电路的特点
6.2 预充-求值的动态CMOS电路
6.3 多米诺CMOS电路
6.4 时钟CMOS电路
6.5 无竞争动态CMOS电路
6.6 CMOS触发器
6.7 时序逻辑电路
第七章 输入、输出缓冲器
7.1 输入缓冲器
7.2 输入保护电路
7.3 输出缓冲器
7.4 脱片输出驱动级的设计
7.5 三态输出和双向缓冲器
第八章 MOS存储器
8.1 DRAM
8.2 SRAM
8.3 ROM和PLD
第九章 MOS IC的版图设计
9.1 VLSI的设计方法
9.2 门阵列和标准单元设计方法
9.3 版图设计
第十章 SOICMOS简介
10.1 SOI CMOS工艺
10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性
10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应
第十一章 BiCMOS电路
11.1 MOS和双极型器件性能比较
11.2 BiCMOS工艺和器件结构
11.3 BiCMOS逻辑门的设计
11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较
11.5 BiCMOS电路实例
主要符号表
主要参考文献
附录