包邮CMOS模拟集成电路分析与设计

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作者：吴建辉

出版社：电子工业出版社

本类榜单：工业技术

所属丛书：普通高等教育十一五国家级规划教材

分类：工业技术 > 电子通信 > 微电子学、集成电路（IC）

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图文详情

ISBN：9787121135125
装帧：暂无
册数：暂无
重量：暂无
开本：16开
页数：366
出版时间：2011-06-01
条形码：9787121135125 ; 978-7-121-13512-5

本书特色

吴建辉编著的《cmos模拟集成电路分析与设计(第2版)》作为教材，着重讨论了cmos模拟集成电路分析与设计的基础知识，并介绍了新技术与新理论，深入浅出地对cmos模拟集成电路中的主要模块电路进行了较为详尽的分析，并力求理论与实际相结合，使学生经过本教材的学习能真正了解cmos模拟集成电路的分析与设计方法，掌握cmos模拟集成电路中的主要模块的设计基础，为进行模拟电路的设计打下基础。

内容简介

　　本书是普通高等教育“十一五”国家级规划教材。本书分析了cmos模拟集成电路设计理论与技术，全书由17章组成。从cmos器件物理及高阶效应出发，介绍了cmos模拟集成电路的基础，然后分别介绍了模拟集成电路中的各种电路模块：基本放大器、恒流源电路、差分放大器、运算放大器、基准电压源、开关电容电路、集成电压比较器、数/模转换与模/数转换、振荡器与锁相环等。另外，还分析了cmos模拟集成电路的频率响应、稳定性、运算放大器的频率补偿及其反馈电路特性，以及噪声与非线性。

第1章  基本mos器件物理
  1.1  有源器件
    1.1.1  mos管结构与几何参数
    1.1.2  mos管的工作原理及表示符号
    1.1.3  mos管的高频小信号电容
    1.1.4  mos管的电特性
    1.1.5  二阶效应
    1.1.6  mos管交流小信号模型
    1.1.7  有源电阻
  1.2  无源器件
    1.2.1  电阻
    1.2.2  电容
  1.3  短沟道效应
    1.3.1  按比例缩小
    1.3.2  短沟道效应

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