包邮硅基应变半导体物理

第1章 应变实现方法
1．1 应力引入方法
1．1．1 通过机械力引入应力
1．1．2 全局应变引入应力
1．1．3 源／漏（S/D）植入引入应力
1．1．4 SiN帽层引入应力
1．1．5 应力释放引入应力
1．1．6 应力记忆引入应力
1．1．7 Ge预非晶化引入应力
1．2 临界厚度及应变测定方法
1．2．1 临界厚度
1．2．2 应变测定方法
1．3 本章小结
习题

第2章 硅基应变材料能带E-k关系
2．1 应变张量模型
2．1．1 应变张量通解
2．1．2（001）、（111）、（101）面应变张量
2．2 硅基应变材料赝晶结构模型
2．3 形变势模型
2．4 定态微扰理论
2．4．1 能级非简并情况
2．4．2 能级简并情况
2．5 硅基应变材料导带E-k关系
2．6 硅基应变材料价带E-k关系
2．6．1 弛豫Si价带E-k关系
2．6．2 硅基应变材料价带E-k关系
2．7 本章小结
习题

第3章 硅基应变材料基本物理参数模型
3．1 硅基应变材料导带结构模型
3．1．1 硅基应变材料导带能谷简并度
3．1．2 硅基应变材料导带能谷能级
3．2 硅基应变材料价带结构模型
3．2．1 硅基应变材料价带r点处能级
3．2．2 应变Si价带结构
3．3 硅基应变材料空穴有效质量
3．3．1 硅基应变材料空穴各向异性有效质量
3．3．2 硅基应变材料空穴各向同性有效质量
3．4 硅基应变材料态密度
3．4．1 硅基应变材料导带底附近态密度
3．4．2 硅基应变材料价带顶附近态密度
3．5 硅基应变材料有效状态密度及本征载流子浓度
3．6 本章小结
习题

第4章 基于CASTEP的应变Si能带结构分析
4．1 CASTEP软件的主要理论
4．1．1 密度泛函理论（DFT）
4．1．2 赝势
4．1．3 分子轨道的自洽求解
4．1．4 CASTEP软件的几项关键技术
4．2 基于CASTEP的应变Si能带结构分析
4．2．1 能带分析选项卡的设定
4．2．2 能带分析结果
4．3 结果分析与讨论
4．3．1（001）应变Si带边分析
4．3．2（101）应变Si带边分析
4．3．3（111）应变Si带边分析
4．4 本章小结
习题

第5章 Ge组分（x）与应力转化模型
5．1 转化原理及模型
5．2（101）面双轴应力与Ge组分的关系
5．3 结果分析与讨论
5．4 本章小结
习题

第6章 硅基应变材料载流子散射机制与迁移率
6．1 费米黄金法则
6．2 跃迁概率及散射概率模型
6．3 载流子迁移率模型
6．4 本章小结
习题

参考文献