太阳能光伏技术(第2版)

译者前言
中文版前言
符号表

第1章 前言
1．1 光伏的历史发展

第2章 太阳辐射——光伏能源
2．1 辐射源太阳与辐射接收者地球
2．2 太阳——黑体辐射
2．3 地球日照辐射的功率与光谱分布

第3章 用于光伏能量转换的半导体材料
3．1 固体吸收电磁辐射
3．2 光伏极限转换效率
3．3 辐射吸收导致载流子生成
3．4 太阳电池的半导体技术基础
3．5 匀质半导体材料中的剩余载流子特征
3．6 分离激发剩余载流子的方法
3．7 反射损失

第4章 太阳电池的晶态半导体材料基础
4．1 太阳电池中的半导体二极管
4．2 晶体太阳电池的基本模型
4．2．1 电子电流
4．2．2 空穴电流
4．2．3 总电流
4．2．4 光谱灵敏度
4．3 标准光谱照射
4．4 太阳电池的技术参数
4．5 晶体太阳电池的等效电路图
4．6 硅二极管太阳电池的极限转换效率

第5章 单晶硅太阳电池
5．1 关于光谱灵敏度的讨论
5．2 发电特性的温度特性
5．3 改进型单晶硅太阳电池的参数
5．4 晶体培育
5．5 制备
5．6 高功率太阳电池
5．7 航天应用中的太阳电池特性退化现象（即辐射损伤）

第6章 多晶硅太阳电池
6．1 SGS太阳能级硅生产原料的制备
6．2 新型硅精炼工艺
6．3 多晶硅模块铸造法
6．4 多晶硅中的晶界模型
6．4．1 光谱剩余载流子密度的计算
6．4．2 单一微晶体中光电流密度的二维边界值问题
6．5 光谱灵敏度与光电流密度的计算
6．6 制备

第7章 化合物半导体太阳电池
7．1 太阳电池材料硅和砷化镓的对比
7．2 具有AlGaAs窗口层的GaAs太阳电池
7．3 AlGaAs／GaAs太阳电池的模型计算
7．4 晶体培育
7．5 GaAs太阳电池的液相外延生长
7．6 制备GaAs太阳电池的LPE工艺流程
7．7 用于制备薄膜结构的III／V族半导体气相外延技术
7．8 III／V族半导体材料的叠层结构太阳电池
7．9 III／V族化合物半导体太阳电池的聚光技术

第8章 非晶硅薄膜太阳电池
8．1 非晶硅特性
8．2 非晶硅的掺杂
8．3 a-Si：H太阳电池的物理模型
8．3．1 暗电流
8．3．2 光电流
8．4 制备
8．5 如何减小光退化效应
8．6 a-Si：H太阳电池的生产制备

第9章 其他类型太阳电池
9．1 晶体硅双面光敏MIS太阳电池
9．2 铜铟双硒太阳电池
9．3 a-Si：H／c-Si太阳电池
9．4 球型太阳电池
9．5 有机半导体太阳电池
9．5．1 有机分子半导体
9．5．2 有机材料太阳电池
9．5．3 染料太阳电池
9．6 第三代太阳电池

第10章 展望
附录A 计算与表格
A．1 计算极限转换率的积分解法
A．2 扩散方程的求解
A．3 标准光谱AMl．5
A．4 T=300K下的硅材料吸收系数
附录B 习题
习题2．1 欧洲不同地点的AM值
习题2．2 估算太阳常数E0
习题2．3 估算柏林地区的AM（1．5 ）值
习题2．4 太阳日常轨道以及柏林地区所处黄道面上接受的太阳辐射强度和太阳能量的日均及年均量
习题3．1 丹伯太阳电池
习题3．2 载流子扩散微分方程的二维数值解
习题3．3 在阳光照射条件下，尺寸为B×H的p型硅片内的电子分布△n（x，y）偏微分方程的解析解
习题5．1 硅太阳电池分析
习题5．01发电特性曲线测量
习题5．02光谱灵敏度测量
习题5．03测量太阳电池的空间电荷区电容
习题5．04利用两种不同照射强度E1和E2下测得的短路电流Ipk（E）和开路电压UL（E）确定二极管反向饱和电流I0
习题5．05根据先前确定的反向饱和电流I0曲线上开路点UL=U（I=0）的斜率计算寄生串联电阻Rs
习题5．06根据先前确定的Rs，通过反向饱和电流I0曲线上短路点Ik=I（U=0）的斜率计算寄生并联电阻Rp
习题5．07计算基底和发射极内的载流子扩散系数
习题5．08基底内少数载流子的扩散长度
习题5．09计算较高掺杂区中的扩散长度
习题5．1 0外量子效率Qext（γ）的测量与模拟
习题5．1 1使用半导体参数模拟发电特性曲线I（U）
习题7．1 六层太阳电池的极限转换率
附录C 实践练习
C1 柏林工业大学的硅太阳电池简易工艺
C2 利用简易材料制作染料太阳电池

参考文献
索引