包邮CMOS集成电路闩锁效应

目 录
写作缘由与编写过程
致谢
第1章 引言
1.1 闩锁效应概述
1.1.1 闩锁效应出现的背景
1.1.2 闩锁效应简述
1.2 闩锁效应的研究概况
1.3 小结
参考文献
第2章 CMOS集成电路寄生双极型晶体管
2.1 双极型晶体管原理
2.1.1 双极型晶体管的工艺结构
2.1.2 双极型晶体管的工作原理
2.1.3 双极型晶体管的击穿电压
2.1.4 利用双极型晶体管分析PNPN的闩锁效应
2.2 CMOS集成电路中的寄生效应
2.2.1 CMOS中的阱电阻
2.2.2 CMOS中的寄生双极型晶体管
2.2.3 HV- CMOS中的寄生双极型晶体管
2.2.4 BCD中的寄生双极型晶体管
2.3 小结
参考文献
第3章 闩锁效应的分析方法
3.1 闩锁效应的分析技术
3.1.1 传输线脉冲技术
3.1.2 直流测量技术
3.2 两种结构的闩锁效应简介
3.2.1 PNPN闩锁效应
3.2.2 NPN闩锁效应
3.3 小结
参考文献
第4章 闩锁效应的物理分析
4.1 闩锁效应的触发机理分类
4.1.1 NW衬底电流触发
4.1.2 PW衬底电流触发
4.1.3 NW和PW衬底电流同时触发
4.2 闩锁效应的触发方式
4.2.1 输出或者输入管脚的浪涌信号引起PN结导通
4.2.2 电源管脚的浪涌信号引起击穿或者穿通
4.2.3 电源上电顺序引起的闩锁效应
4.2.4 场区寄生MOSFET
4.2.5 光生电流
4.2.6 NMOS热载流子注入
4.3 小结
参考文献
第5章 闩锁效应的业界标准和测试方法
5.1 JEDEC概述
5.2 闩锁效应的测试
5.2.1 电源过电压测试V- test
5.2.2 过电流测试I- test
5.3 与无源元件相连的特殊管脚
5.3.1 特殊性质的管脚
5.3.2 特殊管脚的案例
5.4 闩锁失效判断
5.5 实际案例
5.5.1 过电压测试V- test案例
5.5.2 过电流测试I- test案例
5.6 小结
参考文献
第6章 定性分析闩锁效应
6.1 实际工艺定性分析
6.1.1 MOS器件之间的闩锁效应
6.1.2 二极管之间的闩锁效应
6.1.3 二极管与MOS器件之间的闩锁效应
6.1.4 N型阱与1.8V PMOS/13.5V PMOS之间的闩锁效应
6.1.5 N型阱与1.8V P- diode /13.5V P- diode之间的闩锁效应
6.2 特定条件定性分析
6.2.1 电压定性分析
6.2.2 版图定性分析
6.3 小结
第7章 触发闩锁效应的必要条件
7.1 物理条件
7.1.1 回路增益β n β p >1
7.1.2 阱等效电阻 R n 和 R p 足够大
7.1.3 形成低阻通路
7.2 电路偏置条件
7.2.1 电源电压大于自持电压
7.2.2 瞬态激励足够大
7.2.3 适合的偏置条件
7.3 小结
第8章 闩锁效应的改善方法
8.1 版图级抗闩锁措施
8.1.1 减小 R n 和 R p
8.1.2 减小β n 和β p
8.1.3 加少子和多子保护环
8.2 工艺级抗闩锁措施
8.2.1 外延CMOS技术
8.2.2 NBL深埋层技术
8.2.3 SoI CMOS技术
8.2.4 深沟槽隔离技术
8.2.5 倒阱工艺技术
8.2.6 增大NW结深
8.3 电路级抗闩锁措施
8.3.1 串联电阻
8.3.2 反偏阱
8.4 小结
参考文献
第9章 闩锁效应的设计规则
9.1 IO电路的设计规则
9.1.1 减小寄生双极型晶体管放大系数
9.1.2 改善阱等效电阻
9.1.3 加少子和多子保护环
9.2 内部电路的设计规则
9.2.1 抑制瞬态激励
9.2.2 防止自身寄生双极型晶体管开启
9.3 小结
参考文献
第10章 闩锁效应的实例分析
10.1 器件之间的闩锁效应
10.1.1 输出电路18V PMOS与18V NMOS之间的闩锁效应
10.1.2 内部电路5V PMOS与5V NMOS之间的闩锁效应
10.1.3 电源保护电路13.5V P- diode与13.5V NMOS之间的闩锁效应
10.2 器件与阱之间的闩锁效应
10.3 闩锁效应测试击毁Poly电阻
10.4 小结
第11章 寄生器件的ESD应用
11.1 寄生NPN的ESD应用
11.1.1 NMOS寄生NPN
11.1.2 寄生NPN非均匀导通问题
11.1.3 GTNMOS电源钳位保护电路
11.1.4 STNMOS电源钳位保护电路
11.2 寄生PNPN的ESD应用
11.2.1 CMOS寄生PNPN
11.2.2 寄生PNPN电源钳位ESD保护电路
11.2.3 PNPN结构的设计规则
11.3 小结
总结