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掺杂ⅢA族元素硅基光电材料性能概论

包邮掺杂ⅢA族元素硅基光电材料性能概论

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  • ISBN:9787564631802
  • 装帧:一般胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:26cm
  • 页数:121页
  • 出版时间:2019-12-01
  • 条形码:9787564631802 ; 978-7-5646-3180-2

内容简介

本书基于硅材料在电子工业中的重要地位以及硅纳米材料所呈现的优异光电性能, 学者们对硅基纳米器件的构建和光电性能的研究产生了极大兴趣。硅基纳米器件具有特殊的物理性能和化学性能, 可用来制备具有规则阵列结构的硅基功能性纳米复合体系, 其具有明显的整流效应和光伏性能, 是一种具有广阔应用前景的光电器件。本书对掺杂ⅢA族元素对硅基纳米器件光电性能的影响进行了概述。

目录

1 绪论 1.1 Si基硫化镉研究 1.2 Si-NPA 1.3 CdS/Si-NPA 1.4 本课题的研究思路及主要研究内容 参考文献 2 CdS/Si-NPA的制备、表征与性能研究 2.1 CdS/Si-NPA的制备 2.2 CdS/Si-NPA的形貌与结构 2.3 CdS/Si-NPA的物理性能 2.4 CdS/Si-NPA的电致发光性能 2.5 CdS/Si-NPA的光伏性能 2.6 本章小结 参考文献 3 掺杂B元素CdS/Si-NPA的制备、表征及其光电性能 3.1 掺杂B元素CdS/Si-NPA的制备 3.2 掺杂B元素CdS/Si-NPA的表面形貌 3.3 掺杂B元素CdS/Si-NPA的结构 3.4 掺杂B元素CdS/Si-NPA的物理性能 3.5 掺杂B元素CdS/Si-NPA的电致发光性能 3.6 掺杂B元素CdS/Si-NPA的光伏性能 3.7 本章小结 参考文献 4 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的制备、表征及其光电性能 4.1 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的制备 4.2 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的表面形貌 4.3 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的结构 4.4 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的物理性能 4.5 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的电致发光性能 4.6 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的光伏性能 4.7 本章小结 参考文献 5 掺杂In元素CdS/Si-NPA的制备、表征及其光电性能 5.1 掺杂In元素CdS/Si-NPA的制备 5.2 掺杂In元素CdS/Si-NPA的表面形貌 5.3 掺杂In元素CdS/Si-NPA的结构 5.4 掺杂In元素CdS/Si-NPA的物理性能 5.5 掺杂In元素CdS/Si-NPA的电致发光性能 5.6 掺杂In元素CdS/Si-NPA的光伏性能 5.7 本章小结 参考文献 第6章 Zn0/Si-NPA光电探测器的制备与探测性能研究 6.1 前言 6.2 Zn0的基本性质 6.3 Zn0的合成方法 6.4 Zn0/Si-NPA的制备与优化 6.5 Zn0/Si-NPA光电特性的研究与分析 6.6 本章小结 参考文献 7 结论与展望
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作者简介

闫玲玲,1982年10月生,博士,副教授。目前主要从事新型硅基纳米材料光电性能研究。先后主持国家自然科学基金项目1项、省级科研项目2项,参与国家自然科学基金项目多项;获得国家发明专利3项;发表学术论文20余篇,其中SCI检索15篇、EI检索2篇;参编教材1部。

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