可见光通信光源与探测器件原理及应用

第 1章 硅衬底LED光源与器件 001
1．1　硅衬底LED材料的结构与生长　002
1．1．1　衬底　002
1．1．2　渐变AlGaN缓冲层　009
1．1．3　量子阱应变工程　011
1．1．4　GaN基LED的V形坑　014
1．2　硅衬底LED芯片的制造与封装　018
1．2．1　反射镜P型欧姆接触　019
1．2．2　互补电极　020
1．2．3　薄膜转移技术　021
1．2．4　N极性N型GaN的表面粗化　023
1．2．5　N极性N型GaN上的欧姆接触　025
1．2．6　钝化　025
1．3　硅衬底LED器件的性能与特点　026
1．4　硅衬底LED在光通信中的应用前景　030
参考文献　035
第　2章 面向可见光通信的 OLED和有机发光材料　041
2．1　OLED发展简介　042
2．2　有机发光材料的发光原理　044
2．3　OLED器件结构　051
2．4　有机发光材料与器件的核心参数　057
2．5　OLED在可见光通信中的发展　061
2．6　适合可见光通信的有机发光材料　065
参考文献　070
第3章　基于Micro-LED的可见光通信　077
3．1　Micro-LED的制备　078
3．1．1　光刻　078
3．1．2　湿法刻蚀和干法刻蚀　080
3．1．3　金属欧姆接触的制备　083
3．1．4　Micro-LED的基本光电特性　084
3．2　Micro-LED调制带宽　085
3．3　Micro-LED应用系统　090
3．3．1　基于CMOS封装的Micro-LED系统　090
3．3．2　低成本、高密度的二维可见光互联通信系统　093
3．4　智能Micro-LED系统　104
3．4．1　多功能Micro-LED芯片　104
3．4．2　Micro-LED作为探测器的响应特性　106
3．4．3　Micro-LED双工通信系统　112
参考文献　114
第4章　半导体雪崩探测器　117
4．1　离化碰撞　118
4．1．1　离化阈值能量　118
4．1．2　电子、空穴的离化系数　123
4．1．3　高电场下声子散射　125
4．2　雪崩探测器器件原理　129
4．2．1　半导体雪崩探测器简介　129
4．2．2　雪崩速率方程　130
4．2．3　双极离化与单极离化　135
4．2．4　雪崩过剩噪声　136
4．3　离化碰撞工程　138
4．3．1　梯度带隙雪崩探测器　139
4．3．2　超晶格雪崩探测器　141
4．3．3　隧道雪崩探测器　143
4．4　常见半导体雪崩探测器　147
4．4．1　硅衬底雪崩探测器　147
4．4．2　吸收倍增分离Ge/Si雪崩探测器　150
4．4．3　InGaAsP基雪崩探测器　152
参考文献　154
第5章　新型可见光探测材料与器件　157
5．1　有机材料与光伏器件　158
5．2　有机太阳能电池探测器　163
5．3　有机及钙钛矿光电探测器　165
5．4　有机太阳能聚光器　167
参考文献　170
名词索引　175