模拟CMOS集成电路系统化设计

译者序
符号与缩略语表
第1章绪论
1.1写作缘由
1.2模拟电路尺寸问题和提出的方法
1.2.1平方律视角
1.2.2使用查询表进行权衡
1.2.3一般化
1.2.4VGS未知的设计
1.2.5弱反型下的设计
1.3内容概述
1.4关于预备知识
1.5关于符号
1.6参考文献
第2章基础晶体管建模
2.1CSM
2.1.1CSM中的漏极电流方程
2.1.2漏极电流与漏极电压的关系
2.1.3跨导效率gm/ID
2.2基础EKV模型
2.2.1基础EKV方程
2.2.2共源MOS晶体管的基础EKV模型
2.2.3EKV模型的强、弱反型近似
2.2.4基础EKV模型中gm和gm/ID的表达式
2.2.5从EKV模型中提取参数
2.3实际的晶体管
2.3.1实际漏极电流的特征ID(VGS) 和gm/ID
2.3.2实际晶体管的漏极饱和电压VDsat
2.3.3偏置条件对EKV参数的影响
2.3.4漏极电流特性ID(VDS)
2.3.5输出电导gds
2.3.6gds/ID之比
2.3.7本征增益
2.3.8MOSFET电容和特征频率fT
2.4本章小结
2.5参考文献
第3章使用gm/ID方法的基本尺寸设计
3.1本征增益级的尺寸设计
3.1.1电路分析
3.1.2设计尺寸时的考虑因素
3.1.3对于给定的gm/ID设计尺寸
3.1.4基本权衡探索
3.1.5在弱反型下设计尺寸
3.1.6使用漏极电流密度设计尺寸
3.1.7包含外部电容
3.2实际共源级
3.2.1有源负载
3.2.2电阻负载
3.3差分放大器级
3.4本章小结
3.5参考文献
第4章噪声、失真与失配
4.1电噪声
4.1.1热噪声建模
4.1.2热噪声、增益带宽与供电电流间的权衡
4.1.3来自有源负载的热噪声
4.1.4闪烁噪声（1/f噪声）
4.2非线性失真
4.2.1MOS跨导的非线性
4.2.2MOS差分对的非线性
4.2.3输出电导
4.3随机失配
4.3.1随机失配建模
4.3.2失配在电流镜中的影响
4.3.3失配在差分放大器中的影响
4.4本章小结
4.5参考文献
第5章电路应用实例Ⅰ
5.1恒定跨导偏置电路
5.2高摆幅级联电流镜
5.2.1调整电流镜器件的大小
5.2.2对共源共栅偏置电路进行尺寸设计
5.3低压降稳压器
5.3.1低频分析
5.3.2高频分析
5.4射频低噪声放大器
5.4.1为低噪声系数设计尺寸
5.4.2为低噪声系数和低失真设计尺寸
5.5电荷放大器
5.5.1电路分析
5.5.2假定特征频率恒定的优化
5.5.3假定漏极电流恒定的优化
5.5.4假定噪声和带宽恒定的优化
5.6为工艺边界进行设计
5.61偏置的考虑
5.62对于工艺和温度的工艺评估
5.63可能的设计流程
5.7本章小结
5.8参考文献
第6章电路应用实例Ⅱ
6.1开关电容电路的基本OTA
6.1.1小信号电路分析
6.1.2假定噪声和带宽恒定的优化
6.1.3考虑摆幅的优化
6.2用于开关电容电路的折叠式共源共栅OTA
6.2.1设计方程
6.2.2优化流程
6.2.3存在压摆时的优化
6.3用于开关电容电路的两级OTA
6.3.1设计方程
6.3.2优化流程
6.3.3存在压摆时的优化
6.4简化设计流程
6.4.1折叠共源共栅OTA
6.4.2两级OTA
6.5开关尺寸调整
6.6本章小结
6.7参考文献
附录A EKV参数提取算法
附录B 查询表的生成与使用
附录C 布局依赖