包邮不同形貌GaN纳米线制备技术

目录1绪论1.1引言1.2纳米材料简介1.2.1纳米材料概述1.2.2纳米材料的特性1.3氮化镓材料性质1.3.1物理性质1.3.2化学性质1.3.3电学性质1.3.4光学性质1.4氮化镓纳米线的合成方法1.4.1分子束外延法1.4.2金属有机化学气相沉积法1.4.3氢化物输运气相外延生长法1.4.4模板限制生长法1.4.5激光烧蚀法1.4.6氧化物辅助生长法1.4.7化学气相沉积法1.4.8溶胶-凝胶法1.5纳米线的生长机制1.5.1 VLS机制1.5.2 VS机制1.6场发射简介1.6.1功函数1.6.2场增强因子1.6.3场发射阴极材料研究进展1.7 GaN纳米材料研究进展1.7.1 GaN材料实验研究进展1.7.2 GaN材料理论研究进展1.7.3 GaN纳米材料场发射研究进展2特殊形貌GaN纳米线制备及场发射性能研究2.1塔形GaN纳米线制备2.1.1工艺条件对制备塔形GaN纳米线的影响2.1.2塔形GaN纳米线XRD表征2.1.3塔形GaN纳米线SEM表征2.1.4塔形GaN纳米线TEM表征2.1.5塔形GaN纳米线生长机理分析2.2塔形GaN纳米线性能测试2.2.1塔形GaN纳米线光致发光谱分析2.2.2塔形GaN纳米线拉曼光谱分析2.2.3塔形GaN纳米线场发射性能分析2.3铅笔形GaN纳米线制备2.3.1工艺条件对制备铅笔形GaN纳米线的影响2.3.2铅笔形GaN纳米线XRD表征2.3.3铅笔形GaN纳米线SEM表征2.3.4铅笔形GaN纳米线生长机理分析2.4铅笔形GaN纳米线场发射性能分析2.5总结3三维分支结构GaN纳米线制备及场发射性能研究3.1引言3.2三维分支结构GaN纳米线制备3.3三维分支结构GaN纳米线表征3.3.1三维分支结构GaN纳米线XRD表征3.3.2三维分支结构GaN纳米线SEM表征3.3.3三维分支结构GaN纳米线TEM表征3.4三维分支结构GaN纳米线生长机理分析3.5三维分支结构GaN纳米线性能测试3.5.1三维分支结构GaN纳米线光致发光谱分析3.5.2三维分支结构GaN纳米线场发射性能分析3.6总结4 Se掺杂GaN纳米线场发射性能研究4.1**性原理研究Se掺杂GaN纳米线4.1.1密度泛函理论4.1.2计算模型和方法4.1.3形成能4.1.4模型优化4.1.5能带结构4.1.6态密度4.1.7功函数4.2