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铟镓砷光电探测器及其焦平面阵列

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图文详情
  • ISBN:9787030720948
  • 装帧:平装胶订
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:其他
  • 页数:416
  • 出版时间:2022-07-01
  • 条形码:9787030720948 ; 978-7-03-072094-8

内容简介

本书介绍了航天遥感及其他相关应用领域对光电探测器和焦平面器件需求,回顾了InGaAs材料和光电探测器发展沿革,在此基础上讨论了空间遥感对短波红外InGaAs光电探测器及焦平面器件的特殊要求及光伏型器件的基本特性,并对外延材料生长、芯片和焦平面制作工艺、组件封装和组装技术以及材料、器件和组件的测试表征相关技术等各方面进行了详细完整的介绍和讨论,并结合多年的发展和技术积累对相关实例进行了详细说明。此外,本书也对近年来InGaAs光电器件的一些新发展做了介绍。

目录

第1章 空间遥感与光电探测 1.1 引言 1.2 空间遥感及其应用 1.2.1 电磁波谱及其波段划分 1.2.2 大气层及其透射窗口 1.2.3 空间遥感技术及其应用 1.3 光电探测及其空间应用 1.3.1 光电探测基本原理 1.3.2 典型光电探测仪器 1.3.3 光电探测器 1.3.4 红外探测器的空间应用 1.4 空间遥感对光电探测器的需求 1.4.1 空间遥感应用的基本要求 1.4.2 红外探测器(焦平面)的主要参数 1.4.3 系统对红外探测器(焦平面)的要求 1.5 铟镓砷光电探测器及其空间应用 1.5.1 铟镓砷光电探测器 1.5.2 铟镓砷探测器的空间应用 1.6 小结 参考文献 第2章 近红外/短波红外特点及铟镓砷器件应用特色 2.1 引言 2.2 空间应用 2.3 光谱传感应用 2.4 其他应用 2.5 小结 参考文献 第3章 铟镓砷的前世今生 3.1 引言 3.2 InGaAs系材料的缘起钩沉 3.3 InGaAs系材料的基本特性 3.4 InGaAs与光纤通信的渊源 3.5 InGaAs与其他材料体系的比较 3.6 小结 参考文献 第4章 光伏型光电探测器的基本特性及表征 4.1 引言 4.2 静态特性 4.2.1 IV特性 4.2.2 光响应特性 4.2.3 光谱特性 4.2.4 抗辐照特性 4.3 动态特性 4.3.1 CV特性 4.3.2 瞬态特性 4.3.3 黑体响应 4.3.4 噪声特性 4.4 优值系数与评估规则 4.4.1 优值系数D 4.4.2 优值系数R0A 4.4.3 评估规则Rule 4.4.4 评估规则IGARule 4.5 小结 参考文献 第5章 铟镓砷光电探测材料外延生长技术 5.1 引言 5.2 主要外延生长技术 5.2.1 液相外延(LPE) 5.2.2 气相外延(VPE) 5.2.3 分子束外延(MBE) 5.3 气态源分子束外延(GSMBE) 5.3.1 Ⅲ族源 5.3.2 Ⅴ族源 5.3.3 生长设备 5.4 InGaAs光电探测器材料的GSMBE生长 5.4.1 晶格匹配材料 5.4.2 波长扩展材料 5.5 小结 参考文献 第6章 材料特性表征方法与技术 6.1 引言 6.2 结构特性 6.2.1 晶体结构、晶格参数、失配度及组分 6.2.2 表面形貌显微分析 6.2.3 微观状态、缺陷及成分分析 6.3 光学与光电特性 6.3.1 吸收与反射特性 6.3.2 发光特性 6.3.3 材料均匀性表征及其与FPA性能的关联 6.4 电学与输运特性 6.4.1 载流子浓度、迁移率 6.4.2 载流子寿命、扩散系数和扩散长度 6.4.3 缺陷能级与密度 6.5 小结 参考文献 第7章 InGaAs光电探测器及焦平面工艺技术 7.1 引言 7.2 器件结构设计与模拟 7.3 器件制造标准工艺 7.4 成结工艺 7.4.1 刻蚀成结技术 7.4.2 扩散成结技术 7.5 表面钝化 7.6 欧姆接触 7.7 光敏芯片阵列与读出电路的混成工艺 7.8 小结 参考文献 第8章 光电探测器及焦平面的封装与可靠性技术 8.1 引言 8.2 光电探测器组件及其封装技术 8.2.1 组件封装定义、功能与类型 8.2.2 典型微电子封装技术 8.2.3 探测器制冷与低温封装技术 8.2.4 铟镓砷探测器的封装技术 8.3 组件封装设计技术 8.3.1 组件封装总体设计技术 8.3.2 封装结构与模拟 8.3.3 光学参数与杂散光抑制 8.3.4 电子学功能与噪声控制 8.3.5 温度与热力学设计 8.3.6 光电性能与封装关联性 8.3.7 组件可靠性与长寿命设计 8.4 封装技术关键材料与元件研究 8.4.1 封装结构材料 8.4.2 封装密封与焊接材料 8.4.3 电极及引线材料 8.4.4 组件关键元件 8.5 封装技术关键工艺研究 8.5.1 模块化拼接与平面度控制 8.5.2 密封焊接工艺 8.5.3 电极引线技术 8.5.4 其他封装工艺技术 8.6 组件封装的测试与可靠性试验 8.6.1 组件漏热测试 8.6.2 组件漏率测试 8.6.3 组件可靠性试验 8.6.4 组件寿命试验 8.7 小结 参考文献 第9章 短波红外InGaAs焦平面读出电路 9.1 引言 9.2 红外焦平面读出电路 9.2.1 CMOS与CCD两种读出方式的比较 9.2.2 CMOS读出电路设计与工艺 9.3 红外焦平面CMOS读出电路设计基础 9.3.1 读出电路的基本结构 9.3.2 读出电路的输入级结构 9.3.3 采样电路 9.3.4 输出级电路 9.3.5 移位寄存器 9.4 短波红外InGaAs焦平面读出电路设计 9.4.1 总体设计 9.4.2 读出电路输入级设计 9.4.3 相关双采样电路设计 9.4.4 读出电路输出级设计 9.4.5 读出电路版图设计 9.5 红外焦平面读出电路的发展 9.5.1 读出电路的研究发展 9.5.2 数字化读出电路研究进展 9.5.3 雪崩焦平面用读出电路研究进展 9.5.4 读
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