现代模拟集成电路设计

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作者：孙楠、刘佳欣、揭路

出版社：清华大学出版社

本类榜单：工业技术

分类：工业技术 > 电工技术 > 电工基础理论

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图文详情

ISBN：9787302639275
装帧：一般胶版纸
册数：暂无
重量：暂无
开本：其他
页数：279
出版时间：2024-01-01
条形码：9787302639275 ; 978-7-302-63927-5

本书特色

(1) 基于作者在哈佛大学和麻省理工学院的求学经历，以及在得克萨斯大学奥斯汀分校10年的授课经历，融汇世界著名高校对模拟电路设计的教学理念。 (2) 注重直觉理解，不依赖繁复公式推导，用简单语言讲解复杂原理，提升技术理解力，激发对模拟电路的兴趣。 (3) 围绕先进工艺节点，讲解现代模拟集成电路设计方法，着重阐释基于跨导效率的设计方法，绝大多数设计实例采用40nm工艺节点，充分展现在微米尺寸老工艺和纳米尺寸新工艺下设计模拟电路的不同点。 (4) 提供350多幅图表，力求对核心电路设计思想进行形象解释，加深理解。 (5) 重视实践，提供大量贴近实际的设计案例，考虑各种非理想因素，逐步指导读者采用基于跨导效率的设计方法在40nm工艺下设计出满足实际性能指标的单级和两级跨导运算放大器。讲解简单易懂，注重直觉理解；围绕先进工艺节点介绍现代模拟集成电路分析与设计方法；包含大量设计实例

内容简介

本书围绕优选工艺节点,基于跨导效率的设计方法介绍现代模拟集成电路的分析与设计方法。全书大体上分为三部分: **部分(第1~7章)对模拟集成电路中的基本元件晶体管,以及基本的分析与设计方法进行介绍,包括晶体管的长沟道模型与小信号模型、晶体管的基本电路结构、晶体管的性能指标、基于跨导效率的模拟电路设计方法、模拟电路的带宽分析方法、模拟电路中的噪声等。第二部分(第 8~10章)介绍模拟电路设计中常见的一些问题与设计技巧,如器件偏差、差分结构、负反馈技术等,并引入模拟电路中*常见的电路结构,即运算放大器与开关电容电路。第三部分(第11~14章)详细介绍了运算放大器的分析与设计方法,并提供完整的运算放大器设计实例作为参考。此外,第15章和第16章还介绍了基准源电路以及集成电路的工艺演进。本书既可作为集成电路设计领域的本科生和研究生教材,也可供相关科研人员和工程技术人员参考。

第1章晶体管的长沟道模型 1.1MOS晶体管基本工作原理 1.2晶体管的电压电流关系 1.3晶体管工作区的划分 1.4晶体管本征电容 1.5晶体管寄生电容 1.5.1交叠电容 1.5.2pn结电容 1.5.3包含寄生电容的晶体管电容模型 1.5.4阱电容 1.6背栅效应 1.7本章小结第2章放大器线性化分析 2.1基于晶体管大信号模型的放大器增益分析 2.2晶体管的小信号模型 2.2.1晶体管饱和区小信号模型 2.2.2晶体管线性区小信号模型 2.3基于晶体管小信号模型的放大器性能分析 2.4本章小结第3章晶体管基本电路结构 3.1共源放大器 3.2共栅放大器 3.2.1输入输出特性 3.2.2输入输出阻抗 3.3共源共栅放大器 3.3.1共源共栅结构对电路增益的改善 3.3.2共源共栅结构对电路带宽的改善 3.4共漏放大器 3.4.1共漏放大器的频响特性 3.4.2共漏放大器的输入输出阻抗 3.4.3共漏的应用 3.5电流镜 3.5.1基本电流镜 3.5.2共源共栅电流镜 3.5.3电流镜去耦 3.6本章小结第4章晶体管的性能指标 4.1跨导效率、特征频率和本征增益的定义 4.1.1跨导效率的定义 4.1.2特征频率的定义 4.1.3本征增益的定义 4.1.4晶体管性能指...

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作者简介

孙楠，清华大学教授。他2006年本科毕业于清华大学，2010博士毕业于哈佛大学。他在2011年入职美国德克萨斯大学奥斯丁分校，在2017年获得身教职。他在2018入选国家特聘专家，于同年在清华担任特聘访问教授，并从2020年起担任长聘教授。他在2020年ISSCC会议上获得了IEEE固态电路协会次颁发的新前沿奖，2013年获得美国自然科学基金Career Award。

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