微纳结构半导体光探测器

前言 第1章 绪论 1.1 半导体光电器件发展概述 1.2 半导体光探测器的研究现状 1.3 高速、高量子效率光探测器 1.3.1 PIN光探测器 1.3.2 单行载流子光探测器 1.3.3 其他高性能光探测器 参考文献 第2章 半导体光电器件基础 2.1 半导体物理基本知识 2.1.1 基本晶体结构 2.1.2 半导体中的能级跃迁 2.2 半导体PN结的形成 2.2.1 半导体中的载流子 2.2.2 半导体的PN结 2.2.3 载流子的定向移动 2.3 光电集成技术 参考文献 第3章 微纳结构半导体光探测器的研究方法及分类 3.1 光探测器的工作原理与性能指标 3.1.1 光探测器的工作原理 3.1.2 量子效率与响应度 3.1.3 频率响应与3dB带宽 3.1.4 噪声 3.1.5 饱和特性 3.2 设计分析方法 3.2.1 麦克斯韦方程组 3.2.2 泊松方程 3.2.3 载流子输运方程 3.2.4 连续性方程 3.3 主要物理模型 3.3.1 载流子统计模型 3.3.2 载流子迁移模型 3.3.3 载流子复合模型 3.4 同质集成的微纳结构半导体光探测器 3.4.1 一镜斜置三镜腔型光探测器 3.4.2 四镜三腔型光探测器 3.4.3 蘑菇型光探测器 3.4.4 金字塔型光探测器 3.4.5 微环结构光探测器 3.5 异质集成的微纳结构半导体光探测器 3.5.1 透镜集成光探测器 3.5.2 集成亚波长光栅光探测器 3.5.3 集成分束器的光探测器阵列 3.5.4 等离子体光探测器 3.5.5 MSM光探测器 参考文献 第4章 微纳结构半导体光探测器的仿真分析 4.1 入射光场分布对光探测器性能的影响