模拟集成电路设计――基于华大九天集成电路全流程设计平台AETHER

第1章 绪论 1.1 模拟集成电路的应用 1.2 模拟集成电路设计流程 1.3 华大九天EmpyreanAether简介 第2章 MOS器件的基础特性 2.1 半导体物理基础 2.1.1 单晶硅的晶体结构 2.1.2 半导体能带理论及载流子浓度 2.1.3 施主与受主杂质 2.1.4 载流子的漂移运动和扩散运动 2.2 PN结 2.3 MIS结构 2.4 MOSFET结构及其基本制造工艺流程 2.4.1 MOSFET结构 2.4.2 基本制造工艺流程 2.5 MOSFET的电学特性 2.5.1 阈值电压 2.5.2 I-V特性分析 2.5.3 MOS器件电容 2.5.4 小信号模型 2.6 MOSFET的I-V特性仿真分析 习题 参考文献 第3章 基本放大器 3.1 共源放大器 3.1.1 采用电阻负载的共源放大器 3.1.2 采用二极管连接负载的共源放大器 3.1.3 采用电流源负载的共源放大器 3.1.4 带有源极负反馈的共源放大器 3.2 源极跟随器 3.2.1 直流特性分析 3.2.2 小信号特性分析 3.2.3 ClassAB驱动器 3.3 共栅放大器 3.3.1 直流特性分析 3.3.2 小信号特性分析 3.3.3 基本单级放大器特性总结 3.4 共源共栅放大器 3.4.1 直流特性分析 3.4.2 小信号特性分析 3.5 折叠式共源共栅放大器 3.6 基本放大器的直流特性仿真分析 3.6.1 采用电阻负载的共源放大器直流特性仿真分析 3.6.2 采用二极管连接负载的共源放大器直流特性仿真分析 3.6.3 采用电流源负载的共源放大器直流特性仿真分析 3.6.4 带有源极负反馈的共源放大器直流特性仿真分析 3.6.5 源极跟随器直流特性仿真分析 3.6.6 共栅放大器直流特性仿真分析 3.6.7 共源共栅放大器直流特性仿真分析 3.6.8 折叠式共源共栅放大器直流特性仿真分析