电子材料与器件实验教程

实验一 溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜和粉体材料 1 实验二 水热法制备ZnO纳米功能材料 6 实验三 溶剂热法制备Fe3O4磁性材料 9 实验四 ZnO半导体陶瓷的制备 12 实验五 微波合成法制备ZnO纳米功能材料 16 实验六 热丝CVD法制备金刚石薄膜 19 实验七 磁控溅射法制备SnO2薄膜 22 实验八 氨化法制备GaN粉体及薄膜材料 26 实验九 丝网印刷工艺 30 实验十 真空镀膜及电极制备 33 实验十一 电子材料的X射线衍射(XRD)测试 39 实验十二 电子材料的扫描电子显微镜(SEM)测试 42 实验十三 电子材料的透射电子显微镜(TEM)测试 46 实验十四 电子材料的原子力显微镜(AFM)测试 54 实验十五 电子材料的X射线光电子能谱(XPS)分析 58 实验十六 电子材料的拉曼谱(RAMAN)测试 63 实验十七 电子材料的俄歇谱(AES)测试 68 实验十八 半导体材料晶面的光学定向 73 实验十九 腐蚀金相法显示与测量单晶缺陷 78 实验二十 椭偏法测量薄膜厚度 83 实验二十一 四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻 90 实验二十二 半导体材料霍尔系数的测量 98 实验二十三 高频C-V法测量半导体表面层的杂质浓度 102 实验二十四 表面光电压法测量硅中少子扩散长度 106 实验二十五 高频光电导衰退法测量硅(锗)单晶少子寿命 110 实验二十六 光电导法测量硅单晶材料的禁带宽度 113 实验二十七 深能级瞬态谱法测量硅中深能级中心 116 实验二十八 金属-半导体接触势垒高度的测量 118 实验二十九 半导体材料的电磁性能及反射率测试 121 实验三十 半导体材料场发射特性测试 126 实验三十一 半导体材料的光致发光性能测试 130 实验三十二 半导体材料载流子浓度和霍尔迁移率的测试 132 实验三十三 半导体薄膜消光系数和透射率的测试 138 实验三十四 电子材料比表面积测试 142 实验三十五 电子材料密度测量 146 实验三十六 PN结的温度特性研究 149 实验三十七 PN结结深的测量 153 实验三十八 半导体光敏二极管的光谱特性研究 156 实验三十九 晶体管直流参数对电路性能的影响 161 实验四十 半导体压力传感器参数测试 167 实验四十一 压敏电阻的特性测试 173 实验四十二 半导体气体传感器性能测试 177 实验四十三 晶闸管特性测试 182 附录一 数据处理 187 附录二 常用基本物理常数表 193 附录三 几种常见半导体材料的物理性能参数 195 附录四 硅的消光距离 196 附录五 如何定量描述偏离度 197 附录六 用阳极氧化去层法求扩散层中杂质浓度分布 198 参考文献 200