半导体材料及器件的辐射效应

第1章 辐射环境
1．1 引言
1．2 辐射环境的种类
1．2．1 空间环境
1．2．2 核环境
1．2．3 高能物理实验环境
1．2．4 器件制造引入的辐射环境
1．3 小结

第2章 辐射效应相关的半导体基础知识
2．1 引言
2．2 本征半导体及非本征半导体
2．2．1 半导体能带结构
2．2．2 本征半导体
2．2．3 非本征半导体
2．2．4 浅能级、深能级、杂质的补偿作用
2．3 半导体中载流子的产生及复合
2．3．1 载流子的产生
2．3．2 载流子的复合
2．4 载流子的迁移率
2．4．1 迁移率的特性
2．4．2 载流子的扩散系数
2．5 PN结二级管
2．6 肖特基结二极管
2．7 MOS电容及MOSFET
2．7．1 表面势
2．7．2 耗尽层
2．7．3 表面反型层
2．7．4 MOS电容
2．7．5 MOSFET
2．8 直接有辐射环境的半导体工艺
2．8．1 NMOSFET工艺流程
2．8．2 离子注入掺杂
2．8．3 干法刻蚀
2．9 小结
……

第3章 辐射效应的一般概念
第4章 半导体材料的辐射效应
第5章 Si半导体器件的辐射效应
第6章 GaAs半导体器件的辐射效应
第7章 光电子器件的辐射效应
第8章 Si集成电路的辐射效应及加固技术
第9章 纳米级CMOS集成电路的辐射效应及加固技术
第10章 半导体器件辐射效应的一些新研究动向
第11章 辐射效应模拟试验及测试技术

参考文献