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模拟电子学的创新之路

模拟电子学的创新之路

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  • ISBN:9787302549949
  • 装帧:一般胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:其他
  • 页数:280
  • 出版时间:2020-07-01
  • 条形码:9787302549949 ; 978-7-302-54994-9

本书特色

模拟电子技术是一门重要的专业基础课,应用面极其广泛,但模拟电子学基础理论存在很多不足、缺陷及错误,导致模拟电子技术成为教师*难教、学生*难学的课程,成为工程师*难用的技术。 作者多年来深入研究、创新模拟电子学,揭示模拟电子学传统理论中的漏洞及错误,探讨如何解决传统理论不能解决的问题,寻求新的高效率计算方法,不仅显著改善了模拟电子技术及相关课程的教学质量,而且有益于相关科学研究和工程设计。 希望本书能为相关专业的研究人员、专家学者、教师、学生,以及电子工程师、电子技术爱好者提供参考和帮助,变事倍功半为事半功倍。 揭示模拟电子学传统理论中的漏洞及错误,探讨如何解决传统理论不能解决的问题,寻求新的高效率计算方法

内容简介

由于历史短暂等原因,传统模拟电子学存在很多缺陷。作者崇尚科学、大胆创新,为此进行了20多年的研究。经过长期的理论分析和实践验证,创建用内电场势垒与自由电子扩散势相平衡决定PN结内电场、建立放大器临界工作点计算输入、输出范围、建立比较环节相移概念,创建用三相位移法(3?法)进行反馈分析与设计等。这些创新,已经用于电子工程设计及模拟电子技术课程学习,取得很好效果。

目录


目录




上篇传统理论的错误漏洞及研究动态


第1章传统理论的105项错误及漏洞


1.1电路理论及方法的错误及漏洞


1.1.1电路概念、计算方法的欠缺及错误(17项)


1.1.2表达方法不足——错用符号及对曲线特性认识不足(3项)


1.2半导体物理学PN结理论的错误及漏洞


1.2.1正离子丢失物质电中性被歪曲,空穴被强行带上正电(3项)


1.2.2忽视扩散势,造成平衡PN结内电场计算多处错误(4项)


1.3晶体管理论的错误及漏洞


1.3.1晶体二极管理论的错误及漏洞(11项)


1.3.2BJT及FET晶体管理论的错误及漏洞(9项)


1.4放大理论的漏洞及错误


1.4.1还没有解决的问题(25页)


1.4.2人为制造的错误(10项)


1.5反馈及振荡理论的错误与漏洞


1.5.1反馈理论的错误与漏洞(13项)


1.5.2振荡理论的错误与漏洞(10项)


1.6模拟电子学理论缺陷的影响及原因


第2章探索创新如火如荼


2.1学术界相关动态


2.2“百度知道”网页关于模拟电子学的论述


2.3笔者的创新之路——110项求真


下篇研 究 进 展


第3章电路理论及方法的创新


3.1电路分析计算方法


3.2RLC电路幅频特性曲线在对数频率坐标下对称


3.2.1RLC串联电路幅频特性曲线在对数频率坐标下对称


3.2.2RLC并联电路幅频特性在对数频率坐标下对称


3.3RC串并联电路谐振阻抗、曲线对称性及品质因数


3.3.1RC串并联电路谐振时分阻抗及总阻抗均非电阻性


3.3.2RC串并联电路幅频特性曲线在对数频率坐标轴对称


3.3.3RC串并联电路品质因数*大值仅为0.5


3.4伯德图半对数相频特性曲线中点斜率的计算及应用


3.5自感与互感的计算方法






第4章半导体物理学PN结理论的重构


4.1PN结二极管工作原理


4.1.1按照空穴不带电绘制半导体及PN结示意图


4.1.2用自由电子扩散势解释PN结平衡及光生电动势


4.1.3自由电子扩散势的实际测量(PN结单向导电性)


4.1.4光电效应——有效光生电子空穴对及自由电子扩散势


4.1.5掺杂浓度取值范围及半导体器件*高工作温度


4.1.6PN结(二极管)伏安特性的四种表达方式


4.2二极管应用电路及其分析计算方法


4.2.1发光二极管及光电二极管应用电路


4.2.2二极管电路分析方法


第5章BJT晶体管理论的创新


5.1晶体三极管原理及数理模型


5.1.1用竞争机制阐述BJT三极管工作原理


5.1.2BJT三极管三特性


5.1.3BJT三极管数理模型


5.2三极管技术参数及测试应用


5.2.1BJT三极管技术参数


5.2.2BJT三极管测试鉴别


5.2.3BJT三极管产品形态及应用


第6章FET晶体管理论的补充


6.1结型场效应管


6.1.1结型场效应管工作原理


6.1.2JFET传输特性——零栅压零电阻漏极电流


6.1.3场效应管输出特性


6.1.4结型场效应管数理模型及技术参数


6.2金属氧化物半导体场效应管


6.2.1金属氧化物半导体场效应管的工作原理及特性参数


6.2.2各种FET及其与BJT的综合对比


第7章BJT晶体管放大电路理论的创新与重建


7.1基本共射放大电路


7.1.1科学绘制放大电路的交流和直流等效电路


7.1.2三组态通用的U、I、P三大放大倍数计算公式


7.1.3BJT放大器非线性失真分析


7.1.4BJT放大器削波失真及工作点设计


7.1.5工作点内涵与外延及其稳定性的定量计算


7.1.6基本共射放大电路分析计算


7.2器件极限耗散功率及放大器效率分析计算


7.3放大器频率特性分析计算


7.3.1频率特性的经典表达——伯德图及其来历


7.3.2基本共射放大电路频率特性函数


7.3.3频带参数分析与耦合电容设计(10μF的来历)


7.3.4对数频率特性——伯德图


7.4射极偏置共射放大电路


7.4.1改动虽小但一箭双雕


7.4.2科学绘制交、直流等效电路


7.4.3根据输出范围*大要求设计工作点


7.4.4三大交流参数与频率特性


7.5共集放大器(射极输出器)


7.6共基放大器(电流跟随器)


7.7放大电路技术参数的测试


7.8放大电路工作点及输出范围的图解计算


第8章FET晶体管放大电路理论的补充


8.1栅无偏共源放大电路


8.2源极偏置共源放大电路


第9章多级放大与功率放大电路理论的补充


9.1磁耦合放大电路技术参数汇总


9.2多级放大电路技术参数分析计算


9.2.1电压放大倍数及频率特性


9.2.2输入/输出电阻及工作点


9.3乙类功放功率放大倍数分析计算


第10章差分放大与集成放大电路理论的补充


10.1长尾差放双端输出模式下CMRR的分析计算


10.2差分放大器调零电路


10.3快速识别电压放大倍数的符号、同相端与反相端



10.4快速测定集成运算放大器的压摆率


第11章反馈理论的创新与重建


11.1反馈概念、分类、组态及计算


11.1.1反馈概念、分类及组态


11.1.2反馈计算(刘志国公式)


11.2反馈极性判别的三相位移法(3φ法)


11.2.1反馈环路的三个相移


11.2.2反馈极性判别方法


11.3加反馈的反馈系数分析计算


11.4用电压跟随器的条件性分析INA电路


11.5正负双路反馈抵消原理的应用


11.5.1双通道比例减法电路的分析计算


11.5.2郝兰德电流泵的分析计算


11.6微积分运算电路的第二功能——±90°移相放大器


第12章振荡理论的重构


12.1振荡电路的数理模型


12.1.1单路正反馈构成的振荡电路模型


12.1.2正、负双路反馈抵消构成的振荡电路


12.2分立元件振荡电路


12.3文氏电桥集成振荡电路


12.4RC移相式集成正弦振荡电路


12.4.1两节及三节RC超前移相式集成正弦振荡器


12.4.2两节及三节RC滞后移相式集成正弦振荡器


第13章实验理论、设备及方法创新


13.1实验理论创新——让实验由被动变主动


13.2实验设备创新——让实验走进千家万户


13.3实验方法创新——让实验好做效果更好


13.3.1基本共射放大实验


13.3.2振荡实验



参考文献


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作者简介

元增民,河北工业大学1977级大学生、1982级研究生。1993年在中国重汽集团晋升高级工程师,1999年在解放军总后勤部军需部转为副教授,2001年晋升教授。1982年以来主持或参与UD80型柔性加工单元、球铁孕育剂治炼炉随动机构等科研或工程项目十余项,发表研究论文40多篇,讲授电类课程累计二十余门(一万多学时)。 2006年至今出版《单片机原理与应用基础》 《模拟电子技术》《电工技术》等著作三种七个版次,用于全国二十多所院校、十几届学生的课程教学。

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