漫谈光通信·芯片卷

半导体激光器激光器2 激光器小信号频响24 DFB激光器等效电路模型26 FP，DFB，DBR的区别30 【5G光模块】——FP激光器的模式分配噪声35 DFB双峰对光通信系统的影响37 DFB激光器双峰40 DFB直调激光器的发展方向41 相干光模块中的窄线宽激光器46 用于突发模式下一代PON的MEL激光器双电级DFB47 非制冷DWDM激光器50 FP和DBR的区别53 DFB的发展史58 DFB的光栅60 双腔DFB激光器62 区分FP，DFB，DML，EML，VCSEL65 激光器发散角优化结构69 为什么激光器的BH结构需要多次外延71 背光74 为什么不能“轻易”把GPON ONU的DFB激光器换成 便宜的FP76 区分DFB，DML，EML80DBR激光器82 DFB激光器的增益耦合光栅与折射率耦合光栅83 多纵模激光器的传输距离87 单纵模激光器的传输距离89 FP与DFB的波长温度漂移91 区分电光效应、光电效应与电致发光效应94 相干通信历程、可调谐光源标准发展史97 可调谐激光器102 外腔激光器104 DML的啁啾与补偿激光器的啁啾、展宽与色散108 啁啾110 直调激光器啁啾管理的几个方案113 啁啾光栅与色散补偿115 利用微环做DML的啁啾管理117 直调激光器的传输并不是距离越长TDP就一定越大121 PT对称光栅122 Avago的高速VCSEL124 MEMS VCSEL128 比VCSEL小100倍的BICSEL130 Finisar VCSEL 用OM4光纤可传输2.3km的56Gb/s PAM4信号134 超薄激光器135 铌酸锂调制器电光调制器140 铌酸锂调制器141 为何铌酸锂调制器那么长146 铌酸锂薄膜制备148 电吸收调制器EAM电吸收调制器等效模型154 为何探测器和电吸收调制器，加反电压，而不是正电压157 电吸收调制器的吸收波长红移159 非制冷单波100Gb/s EML164 EML更容易实现更大的消光比167 电吸收调制激光器EML169 为什么EML要加一个TEC171 调制器热光调制176 PN结载流子耗尽型硅基调制器178 光调制器的载流子耗尽型与注入型的区别181 光探测器探测器186 探测器响应度与光模块灵敏度之间的关系196 几种探测器的结构198 垂直型与波导型PIN202 平衡探测器204 探测器速率与结电容207 探测器结构与响应度、灵敏度211 探测器材料与截止波长214 探测器材料之Si，GeSi，GaAs217 探测器响应度下降原因218APD的盖革模式220 APD盖革模式的应用223 光电二极管台面结构225 半导体工艺GaAs衬底230 激光器衬底——InP单晶233 激光器中含铝材料238 为什么激光器的热烧蚀，更容易发生在腔表面244 激光器有源材料晶格缺陷与可靠性，GaAs比InP更难246 激光器晶格缺陷之线位错248 激光器衬底生长技术： VGF垂直梯度凝固法250 分子束外延253 半导体工艺中的“退火”257 激光器材料生长——张应变和压应变260 衍射极限264 电子束光刻EBL269 纳米压印271 激光器波导结构制作： 干法刻蚀与湿法刻蚀273 MACOM激光器垂直端面刻蚀280 DFB激光器的倒台波导283 磁控溅射——光芯片电极制作287 CBN立方氮化硼291 脉冲激光溅射292 电子束蒸镀——光芯片电极制作296 半导体激光器欧姆接触以及欧姆接触与肖特基接触的 区别299 激光器减薄，与台阶仪厚度检测原理304 激光器端面钝化307 激光器从材料到芯片310激光器晶圆划片与裂片314 特殊波导制作与激光冷加工319 半导体物理与器件结构电芯片的材料Si，GeSi和GaAs324 半导体材料，P型、N型半导体与PN结328 FET，MOSFET，MESFET，MODFET330 三星3nm全环栅结构335 5nm晶体管技术之争GAA FET，IMEC 8nm纳米线337 晶体管之BJT，FET，CMOS，HBT，HEMT340 电芯片的锗硅与CMOS区别343 MOSFET与符号344 缩略语349'