半导体材料(第四版)

目录 绪论1 第1章硅和锗的化学制备4 1.1硅和锗的物理化学性质4 1.2高纯硅的制备6 1.3锗的富集与提纯13 第2章区熔提纯16 2.1相图16 2.2分凝现象与分凝系数25 2.3区熔原理29 2.4锗的区熔提纯38 第3章晶体生长39 3.1晶体生长理论基础39 3.2熔体的晶体生长55 3.3硅、锗单晶生长61 第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷68 4.1硅、锗晶体中杂质的性质68 4.2硅、锗晶体的掺杂71 4.3硅、锗单晶的位错87 4.4硅单晶中的微缺陷92 第5章硅外延生长96 5.1外延生长概述96 5.2硅衬底制备98 5.3硅的气相外延生长102 5.4硅外延层电阻率的控制113 5.5硅外延层的缺陷118 5.6硅的异质外延122 第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体127 6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性127 6.2砷化镓单晶的生长方法133 6.3砷化镓单晶中杂质的控制140 6.4砷化镓单晶的完整性144 6.5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备146 第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长150 7.1气相外延生长（VPE）150 7.2金属有机物气相外延生长（MOVPE）153 7.3液相外延生长（LPE）160 7.4分子束外延生长（MBE）165 7.5化学束外延生长（CBE）169 7.6其他外延生长技术171 第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体176 8.1异质结与晶格失配177 8.2GaAlAs外延生长178 8.3InGaAsP外延生长182 第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体187 9.1Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备187 9.2Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象193 9.3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料196 第10章低维结构半导体材料201 10.1低维结构半导体材料的基本特性201 10.2半导体超晶格与量子阱202 10.3半导体量子线与量子点211 10.4低维结构半导体材料的现状及未来215 第11章氧化物半导体材料217 11.1氧化物半导体材料的制备217 11.2氧化物半导体材料的电学性质220 11.3氧化物半导体材料的应用223 第12章宽禁带半导体材料228 12.1Ⅲ族氮化物半导体材料228 12.2SiC材料237 第13章其他半导体材料248 13.1窄带隙半导体248 13.2黄铜矿型半导体250 13.3非晶态半导体材料251 13.4有机半导体材料252 13.5钙钛矿半导体材料255 参考文献256