氮化镓微波功率器件

第1章绪论 1.1背景 1.2氮化镓材料研究进展 1.3氮化镓微率器件研究进展 1.4氨化镓微率器件可靠进展 参考文献 第2章氨化物材料MOCVD生长技术 2.1 GaN材料基本特及MOCVD生长技术 2.1.1 GaN 材料的基本特 2.1.2 MOCVD方法生长GaN简介 2.2磁控溅射AlN基板生长GaN 薄膜技术 2.2.1磁控溅射AIN特简介 2.2.2磁控溅射AlN基板上GaN材料生长及表 征2.2.3磁控溅射AlN基板位错机理分析 2.3微纳球掩膜部分接触式横向外延过生长技术 2.3.1部分接触式横向外延过生长简介 2.3.2微纳球掩膜技术外延薄膜材料表征 2.3.3微纳球掩膜技术外延机理分析 2.4斜切衬底上N面GaN材料生长技术 2.4.1 N面GaN材料简介.. 2.4.2斜切衬底上N面GaN 材料生长 2.4.3斜切衬底上N面GaN材料位错湮灭机理分析 2.5InGaN沟道异质结 2.5.1 InGaN沟道异质结特简介 2.5.2 InGaN沟道异质结基本特表征 2.5.3 InGaN沟道异质结电学特分析 参考文献 …… 第3章氨化镓微率器件技术 制4章微率器件新型工艺 第5章微率器件建模 第6章新型氨化镓微率器件