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- ISBN:7118037613
- 装帧:精裝本
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 开本:大32开
- 页数:400
- 出版时间:2005-06-01
- 条形码:9787118037616 ; 978-7-118-03761-6
内容简介
本书较为全面地介绍了各类典型半导体器件和集成电路在核辐射和空间辐射环境下的损伤机理和效应。主要内容包括:国内外核辐射效应发展简史、研究对象和方法,核爆炸、空间、模拟源和核动力等辐射环境分析、位移、电离、剂量增强和单粒子等辐射效应机理。
目录
第1章 绪论
1.1 核辐射效应发展简史
1.2 研究对象与方法
1.3 描述辐射效应的几个物理量
参考文献
第2章 辐射环境
2.1 核爆炸辐射环境
2.2 空间环境
2.3 模拟源环境
2.4 核动力辐射环境
2.5 其它辐射环境
参考文献
第3章 辐射损伤机理
3.1 位移效应
3.2 电离效应
3.3 剂量增强效应
3.4 低剂量率效应
参考文献
第4章 分立半导体器件辐射效应
4.1 二极管
4.2 微波半导体器件
4.3 单结晶体管
4.4 双极晶体管
4.5 异质结双极晶体管(HBT)
4.6 场效应晶体管
4.7 硅可控整流器
4.8 太阳能电池
4.9 晶体振荡器
参考文献
第5章 集成电路辐射效应
5.1 双极线性集成电路
5.2 双极数字集成电路
5.3 结型场效应晶体管(JFET)集成电路
5.4 MOS线性集成电路
5.5 MOS数字集成电路
5.6 微处理器(CPU)
参考文献
第6章 单粒子效应
……
第7章 剂量增强效应
第8章 低剂量率辐射效应
第9章 光学器件辐射效应
1.1 核辐射效应发展简史
1.2 研究对象与方法
1.3 描述辐射效应的几个物理量
参考文献
第2章 辐射环境
2.1 核爆炸辐射环境
2.2 空间环境
2.3 模拟源环境
2.4 核动力辐射环境
2.5 其它辐射环境
参考文献
第3章 辐射损伤机理
3.1 位移效应
3.2 电离效应
3.3 剂量增强效应
3.4 低剂量率效应
参考文献
第4章 分立半导体器件辐射效应
4.1 二极管
4.2 微波半导体器件
4.3 单结晶体管
4.4 双极晶体管
4.5 异质结双极晶体管(HBT)
4.6 场效应晶体管
4.7 硅可控整流器
4.8 太阳能电池
4.9 晶体振荡器
参考文献
第5章 集成电路辐射效应
5.1 双极线性集成电路
5.2 双极数字集成电路
5.3 结型场效应晶体管(JFET)集成电路
5.4 MOS线性集成电路
5.5 MOS数字集成电路
5.6 微处理器(CPU)
参考文献
第6章 单粒子效应
……
第7章 剂量增强效应
第8章 低剂量率辐射效应
第9章 光学器件辐射效应
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