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图文详情
  • ISBN:7810824805
  • 装帧:暂无
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:16开
  • 页数:344页
  • 出版时间:2010-01-08
  • 条形码:9787810824804 ; 978-7-81082-480-4

本书特色

《模拟电子技术》可作为电子类、通信类、自动化类及其它相近专业本科和专科的模拟电子技术教材,也可作为普通高校本科和专科有关专业的教学参考书,并可供从事电子技术的工程技术人员参考。

目录

第1章 半导体器件1.1 半导体器件的基础知识1.1.1 半导体材料1 1 2 本征半导体1.1.3 杂质半导体1.1.4 PN结1.2 半导体二极管1.2.1 半导体二极管的结构和类型1.2.2 半导体二极管的伏安特性1.2.3 半导体二极管的主要电参数1.2.4 半导体二极管的应用1.2.5 特殊二极管1.3 半导体三极管1.3.1 概述1.3.2 半导体三极管的工作原理1.3.3 半导体三极管的基本组态与特性曲线1.3.4 半导体三极管的主要电参数1.4 场效应管1.4.1 结型场效应管1.4.2 绝缘栅场效应管1.4.3 场效应管的主要参数1.4.4 场效应管与晶体管的比较本章小结习题第2章 放大器分析基础2.1 基本放大器概述2.1.1 放大器的基本概念2.1.2 共射极基本放大电路2.2 放大器的静态分析2.2.1 静态分析中的解析法2.2.2 静态分析中的图解法2.3 放大器的动态分析2.3.1 动态分析中的图解法2.3.2 微变等效电路法2.4 其他基本放大电路2.4.1 射极偏置放大电路2.4.2 共集电投放大电路2.4.3 共基极放大电路2.4.4 三种BJT基本放大电路的比较2.5 场效应管放大电路2.5.1 静态工作情况分析2.5.2 动态工作情况分析2.6 多级放大电路2.6.1 多缀放大电路的一般问题2.6.2 多缀放大电路的分析本章小结习题第3章 频率响应3.1 频率响应概述3.1.1 研究频率响应的必要性3.1.2 频率响应中的电容等效3.1.3 研究频率响应的方法3.1.4 无源RC电路的频率响应3.1.5 波特图3.2 晶体管的频率参数3.2.1 共发射极电流放大系数β的截止频率f3.2.2 特征频率f3.2.3 共基极电流放大系数α的截止频率f3.2.4 晶体管的混合π型等效电路3.3 共发射极放大电路的频率特性3.3.1 中频放大倍数A3.3.2 低频放大倍数A及波特图3.3.3 高频放大倍数A及波特图3.3.4 完整的频率特性曲线3.3.5 其他电容对频率特性的影响3.4 多级放大电路的频率特性3.4.1 多级放大电路的通频带BW3.4.2 上、下限频率的计算本章小结习题第4章 低频功率放大电路4.1 低频功率放大电路概述4.1.1 功率放大电路的分类4.1.2 低频功率放大电路的特点4.1.3 提高功率和效率的途径4.2 甲类功率放大电路4.3 乙类互补对称功率放大电路4.3.1 电路组成和T作原理4.3.2 分析计算4.3.3 交越失真4.4 甲乙类互补对称功率放大电路4.4.1 甲乙类双电源互补对称功放电路4.4.2 甲乙类单电源互补对称功放电路4.5 集成功率放大电路4.5.1 电路组成及工作原理4.5.2 集成功放的应用本章小结习题第5章 负反馈放大电路5.1 反馈的基础知识5.1.1 反馈的概念5.1.2 反馈的分类及其判断方法5.1.3 负反馈放大电路的四种基本组态5.2 负反馈对放大电路性能的影响5.2.1 使放大器的放大倍数下降和稳定性提高5.2.2 稳定被取样的输出信号5.2.3 对输入电阻的影响5.2.4 对输出电阻的影响5.2.5 减小非线性失真和抑制干扰、噪声5.2.6 可以展宽通频带5.3 深度负反馈放大电路的指标估算5.4 负反馈放大电路的自激振荡5.4.1 产生自激振荡的原因及条件5.4.2 自激振荡的判断方法5.4.3 常用的消除自激的方法本章小结习题第6章 集成运算放大器第7章 集成运算放大器的应用第8章 直流电源第9章 电路仿真附录A PSpice元器件类别及其字母代号附录B PSpice常用绘图按钮及其功能附录C 三极管的PSpice模型参数附录D PSpice全局功能函数部分习题答案参考文献
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节选

《模拟电子技术》主要内容:斗导体器件、放大器分析基础、频率响应、低频功率放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器、集成运算放大器的应用、直流电源等。《模拟电子技术》的取材具有先进性、系统性和实用性等特点,办求精选内容,着重基本概念的介绍,深入浅出,图文并茂,便于阅读。另外,每章均有一定量的例题和练习题,书末附有大部分习题参考答案。

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原子由原子核和电子构成,原子核由带正电的质子和不带电的中子构成,电子带负电并围绕原子核旋转。电子以不同的距离在核外分层排布,距核越远,电子的能量越高,*外层的电子被称为价电子,物质的化学性质就是由价电子的数目决定的。由于现在所用的半导体材料仍然主要是硅和锗,所以在这里只讨论硅和锗的原子结构,图1-1所示是硅和锗的原子结构简化模型。硅和锗的外层电子都是4个,它们是四价元素。随着原子间的相互靠近,价电子相互作用并形成晶体。晶体的*终结构是四面体,每个原子(硅或锗)周围都有4个临近的(硅或锗)原子,分布在两个原子间的价电子构成共价键,图1-2所示是硅和锗四面体结构。硅和锗四面体结构一般用二维平面图表示,图I-3所示是硅和锗晶体结构平面图。在晶体结构中,通过电子运动,每一半导体原子*外层的4个价电子与相邻的四个半导体原子的各一个价电子组成4对共价键,并按规律排列。图l-3中的的原子间每条线代表一个价电子。

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