包邮晶体硅太阳能电池制备技术

**章 绪论**节 太阳能电池种类一、晶体硅太阳能电池二、硅基薄膜太阳能电池三、化合物半导体薄膜太阳能电池四、染料敏化TiO2纳米薄膜太阳能电池五、其他新型太阳能电池第二节 硅太阳能电池的发展现状 第二章 硅材料基础知识**节 硅元素及其性质一、硅元素简介二、硅的物理性质三、硅的化学性质第二节 硅的化合物一、二氧化硅（SiO2）二、一氧化硅（SiO）三、硅的卤化物（SiX4）四、三氯氢硅（SiHCl3）五、硅烷（SiH4）第三节 硅的分类第四节 硅半导体材料的基本知识一、能带理论二、本征半导体与杂质半导体第五节 PN结一、PN结的形成二、PN结的单向导电三、PN结方程第三章 晶体学基础**节 晶体结构一、晶体分类二、晶体特征三、晶向指数四、晶面指数五、立方晶体六、几种典型半导体材料的结构第二节 晶体缺陷一、缺陷的种类二、点缺陷三、线缺陷四、面缺陷五、体缺陷第三节 硅晶体结构一、硅中的化学键二、硅的晶体结构三、硅中的点缺陷四、硅中的位错五、硅材料的掺杂 第四章 多晶硅的制备**节 工业硅的制备一、工业硅的制备原理二、工业硅的生产工艺第二节 高纯多晶硅原料的制备一、三氯氢硅还原法二、硅烷热分解法三、流化床法四、太阳能级多晶硅制备新工艺及技术第三节 铸造多晶硅的制备一、多晶硅锭的铸造技术二、多晶硅铸锭原料三、铸锭原料配置四、铸锭坩埚五、多晶硅铸锭设备及工艺六、影响多晶硅锭的质量因素七、铸造多晶硅中的缺陷第五章 单晶硅的制备**节 直拉单晶硅一、基本原理及示意图二、直拉单晶硅工艺流程三、直拉法单晶硅生长设备简介四、新型CZ硅生长技术第二节 区熔生长单晶硅一、区域熔炼二、FZ硅的制备第三节 单晶硅中的杂质一、硅中的氧二、硅中的碳三、硅中的氮四、硅中的氢五、硅中的金属杂质第六章 硅材料的加工**节 单晶硅的加工第二节 多晶硅的加工一、硅块的制备二、硅片的制备第三节 硅片的清洗一、清洗的作用二、清洗的原理三、常用的清洗方法第四节 浆料回收技术一、浆料回收工艺简介二、浆料的检测第七章 硅电池片的制备工艺**节 硅片检测第二节 硅片的腐蚀及绒面制作一、单晶硅片制绒二、多晶硅片制绒第三节 扩散一、扩散方程二、磷扩散工艺原理三、扩散制结工艺过程四、扩散参数的控制第四节 刻蚀、去磷硅玻璃一、刻蚀及去PSG目的二、刻蚀种类三、湿法刻蚀流程第五节 减反射膜的制备技术一、减反射原理二、减反射膜的材料及制备三、SiN减反射膜和PECVD技术第六节 电极的制作及烧结一、欧姆接触二、太阳能电池的收集电极三、电极的制备技术四、电极的烧结第七节 高效太阳能电池一、紫电池二、背场（BSF）太阳能电池三、铝背场的制备及形成四、埋栅太阳能电池五、PERL太阳能电池第八章 分析与测试技术**节 导电型号测试一、整流法二、热电动势法第二节 电阻率测试一、四探针法二、非接触法三、扩展电阻法第三节 少子寿命检测一、光电导衰减法（PCD）二、表面光电压法（SPV）三、微波反射光电导衰减法（MWPCD）第四节 硅块、硅片检测技术与设备一、硅块的红外探伤检测二、硅片厚度及TTV检测三、硅片表面粗糙度检测四、全自动硅片分检机参考文献