包邮高性能.低功耗.高可靠三维集成电路设计

**部分 高性能低功耗三维集成电路设计第1章 三维集成电路的硅通孔布局1．1 引言1．2 研究现状1．3 基础知识1．3．1 三维集成电路设计1．3．2 *大允许硅通孔数1．3．3 *小硅通孔数1．3．4 线长和硅通孔数的折衷1．4 三维集成电路物理设计流程1．4．1 划分1．4．2 硅通孔插入和布局1．4．3 布线1．5 三维全局布局算法1．5．1 力驱动布局简介1．5．2 三维布局算法简介1．5．3 三维集成电路中的单元布局1．5．4 硅通孔位置原理中硅通孔的预布局1．5．5 三维节点的线长计算1．6 硅通孔分配算法1．6．1 硅通孔分配算法的*佳解1．6．2 基于MST的硅通孔分配1．6．3 基于布局的硅通孔分配1．7 实验结果1．7．1 线长和运行时间比较1．7．2 金属层和硅面积比较1．7．3 线长和硅通孔数折衷1．7．4 线长，管芯面积和管芯数折衷1．7．5 硅通孔协同布局与硅通孑L位置对照1．7．6 硅通孔尺寸影响1．7．7 时序和功耗比较1．8 结论参考文献第2章 三维集成电路斯坦纳布线2．1 引言2．2 研究现状2．3 基础知识2．3．1 问题表述2．3．2 研究方法简介2．4 三维斯坦纳树构建2．4．1 算法简介2．4．2 计算连接点和硅通孔位置2．4．3 延时方程优化2．5 采用硅通孔重布局进行三维树精化2．5．1 算法简介2．5．2 可移动范围2．5．3 简化热分析2．5．4 非线性规划2．5．5 整数线性规划2．5．6 快速整数线性规划2．6 实验结果2．6．1 实验参数2．6．2 树构建结果2．6．3 延时和线长分布2．6．4 硅通孔重布局结果2．6．5 硅通孔尺寸和寄生效应影响2．6．6 键合类型影响2．6．7 两管芯和四管芯叠层比较2．7 结论附录参考文献第3章 三维集成电路的缓冲器插入3．1 引言3．2 问题定义3．3 研究动机宴例……第二部分 三维集成电路设计中的电可靠性第三部分 三维集成电路设计中的热可靠性第四部分 三维集成电路设计的机械可靠性第五部分 其他论题缩略语