宽禁带半导体高频及微波功率器件与电路

第1章 绪论
1.1 电力电子器件的发展
1.1.1 Si电力电子器件的发展
1.1.2 宽禁带电力电子器件的发展
1.1.3 我国电力电子器件的发展
1.2 固态微波器件的发展
1.2.1 Si和GaAs固态微波器件与电路的发展
1.2.2 SiC固态微波器件与电路发展
1.2.3 GaN固态微波器件与电路发展
1.3 固态器件在雷达领域的应用
1.3.1 si、GaAs固态微波器件与固态有源相控阵雷达
1.3.2 SiC、GaN固态微波器件与T／R模块
1.3.3 siC、GaN高频开关功率器件与开关功率源／固态脉冲调制源
参考文献
第2章 宽禁带半导体材料
2.1 氮化镓和碳化硅晶体材料
2.1.1 GaN晶体性质和制备
2.1.2 SiC晶体性质和制备
2.2 碳化硅材料的同质外延生长技术
2.2.1 SiC同质外延生长方法
2.2.2 SiC CVD同质外延关键技术
2.2.3 SiC外延层缺陷
2.3 氮化物材料的异质外延生长技术
2.3.1 氮化物外延生长基本模式和外延衬底的选择
2.3.2 用于氮化物异质外延的金属有机物化学气相沉积技术
2.3.3 氮化物异质外延生长中的几个重要问题
2.4 宽禁带半导体材料的表征方法
2.4.1 X射线衍射测试
2.4.2 原子力显微镜测量
2.4.3 光致发光谱测量
2.4.4 傅里叶变换红外谱厚度测试
2.4.5 汞探针C—V法测量杂质浓度分布
参考文献
第3章 碳化硅高频功率器件
3.1 SiC功率二极管
3.1.1 siC肖特基二极管
3.1.2 siC PIN二极管
3.1.3 SiC JBS二极管
3.1.4 siC二极管进展
3.1.5 siC二极管应用
3.2 SiC MESFET
3.2.1 工作原理
3.2.2 SiC MESFET研究进展
3.2.3 SiC MESFET应用
3.3 SiC MOSFET
3.3.1 工作原理
3.3.2 关键工艺
3.3.3 SiC MOSFET进展
3.3.4 SiC MOSFET应用
3.4 siC JFET