包邮短波红外InGaAs探测器辐照特性研究

**章 引言
**节 红外探测器的发展及其航天遥感应用
一、红外探测器的发展
二、红外探测器的航天遥感应用
第二节 航天遥感用半导体器件的辐照效应
一、空间辐照环境
二、半导体器件的辐照效应
第三节 航天应用短波红外InGaAs探测器的发展
第四节 研究目的和主要内容
第二章 理论基础
**节 光电器件的辐照效应理论
一、辐照对半导体的基本损伤机制
二、辐照效应对光电器件特性的影响
第二节 光电探测器的低频噪声理论
第三节 μ-PCD提取材料少子寿命理论基础
第四节 小结
第三章 短波红外InGaAs探测器器件物理研究
**节 概述
一、μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子寿命
二、延伸波长InGaAs器件的低频噪声研究
第二节 μ-PCD提取晶格匹配InGaAs材料的少子寿命
一、实验
二、结果与讨论
第三节 延伸波长In0.83Ga0.17As探测器的低频噪声研究
一、实验
二、两种不同钝化方式探测器的1／f噪声特性比较
三、利用器件g-r噪声特性提取缺陷能级
第四节 小结
第四章 短波红外InGaAs探测器的γ辐照效应
**节 概述
第二节 实验
一、器件制备
二、辐照和测试
第三节 晶格匹配InGaAs探测器的γ辐照效应
一、非原位测试
二、原位测试
第四节 延伸波长InGaAs探测器的γ辐照效应
第五节 小结
第五章 延伸波长InGaAs探测器的质子辐照效应
**节 概述
第二节 实验
第三节 结果与讨论
一、辐照对器件暗电流的影响
二、辐照对器件低频噪声的影响
三、辐照对材料PL谱的影响
四、辐照对器件探测率和量子效率的影响
第四节 小结
第六章 总结与展望
**节 总结
一、利用μ-PCD测试提取In0.53Ga0.47As材料的少子寿命
二、延伸波长In0.83Ga0.12As探测器的低频噪声特性
三、短波红外InGaAs探测器的γ辐照效应
四、In0.83Ga0.17As材料和器件的质子辐照效应
第二节 展望
一、利用μ-PCD提取In0.53Ga0.47As材料少子寿命的研究有待完善
二、利用器件g-r噪声提取缺陷能级的准确性问题
三、对辐照损伤微观机理的研究有待深入
四、抗辐照加固工作有待开展
参考文献