第三代半导体技术与应用(中国芯片制造系列)

序言（张汝京）
前言
1 概述
1．1 碳化硅的历史和性质
1．2 碳化硅的应用及材料要求
1．3 碳化硅材料在应用中的注意事项
1．3．1 电子器件
1．3．2 微机电系统
1．4 碳化硅的主要生长方法
1．4．1 籽晶升华生长
1．4．2 高温化学气相沉积
1．4．3 卤化物化学气相沉积
1．4．4 改良版的物理气相传输
1．4．5 连续进料物理气相传输
1．4．6 顶部籽晶液相生长
1．4．7 碳化硅外延层技术的发展
1．5 新颍趋势和未来发展

2 碳化硅材料生长的基本原理
2．1 碳化硅晶型
2．2 表征技术
2．2．1 生长过程可视化
2．2．2 晶体表征
2．3 物理气相传输
2．3．1 简介及热力学性质
2．3．2 生长过程控制
2．3．3 碳化硅原料制备
2．3．4 碳化硅籽晶及其安装
2．3．5 晶体形状控制
2．3．6 晶体应力控制
2．3．7 气相组成对晶体的影响
2．3．8 保证晶型稳定生长的方法
2．3．9 掺杂
2．3．1 0终止生长过程
2．3．1 1通过生长参数定制晶体特性
2．4 高温化学气相沉积
2．4．1 化学气相沉积简介
2．4．2 高温化学气相沉积简介
2．4．3 实验装置
2．4．4 提高生长速率的措施
2．4．5 晶体质量与生长条件分析
2．4．6 氮掺杂效率
2．5 液相生长
2．6 缺陷
2．6．1 缺陷种类
2．6．2 缺陷的产生、演化以及减少
2．7 掺杂
2．7．1 掺杂问题
2．7．2 掺杂对基矢面位错演化的影响
2．7．3 掺杂对晶格硬度变化的影响
2．7．4 掺杂对费米能级的影响
……

3 碳化硅外延薄膜生长
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉积
5 碳化硅衬底上的氮化镓生长
6 碳化硅加工工艺
7 碳化硅封装工艺
8 碳化硅应用前景及发展趋势
9 结语

参考文献
附录 本书主要名词英汉对照表