极紫外光刻

第1章 绪论

1.1 光刻技术的历史背景/1

1.2 光刻技术的组成部分 /3

1.3 材料考量和多层膜反射镜/4

1.4 一般性问题 /11

习题/12

参考文献/12

第2章 EUV光源

2.1 激光等离子体光源/15

2.2 放电等离子体光源/28

2.3 自由电子激光器/32

习题/36

参考文献/36

第3章 EUV光刻曝光系统

3.1 真空中的EUV光刻/40

3.2 照明系统 /45

3.3 投影系统/47

3.4 对准系统/52

3.5 工件台系统/53

3.6 聚焦系统 /54

习题/55

参考文献/56

第4章 EUV掩模

4.1 EUV掩模结构/60

4.2 多层膜和掩模基板缺陷/66

4.3 掩模平整度和粗糙度/71

4.4 EUV掩模制作/74

4.5 EUV掩模保护膜/75

4.6 EUV掩模放置盒/83

4.7 其他EUV掩模吸收层与掩模架构/85

习题/88

参考文献/88

第5章 EUV光刻胶

5.1 EUV化学放大光刻胶的曝光机制/95

5.2 EUV光刻中的随机效应/98

5.3 化学放大光刻胶的新概念/108

5.4 金属氧化物EUV光刻胶/110

5.5 断裂式光刻胶/111

5.6 真空沉积光刻胶/111

5.7 光刻胶衬底材料/113

习题/114

参考文献/115

第6章 EUV计算光刻

6.1 传统光学邻近校正的考量因素/121

6.2 EUV掩模的三维效应/125

6.3 光刻胶的物理机理/133

6.4 EUV光刻的成像优化/135

习题/138

参考文献/139

第7章 EUV光刻工艺控制

7.1 套刻/144

7.2 关键尺寸控制/149

7.3 良率 / 151

习题/155

参考文献/156

第8章 EUV光刻的量测

8.1 掩模基板缺陷检测/160

8.2 EUV掩模测评工具/163

8.3 量产掩模验收工具/165

8.4 材料测试工具/168

习题/169

参考文献/170

第9章 EUV光刻成本

9.1 晶圆成本 /173

9.2 掩模成本/181

习题/182

参考文献/182

第10章 未来的EUV光刻

10.1 k【能走多低/184

10.2 更高的数值孔径/186

10.3 更短的波长/193

10.4 EUV多重成形技术/194

10.5 EUV光刻的未来/195

习题/195

参考文献/196

索 引