氮化镓单晶材料生长与应用

第1章 氮化镓单晶材料概述 1．1 氮化镓晶体结构及其极性 1．1．1 纤锌矿结构 1．1．2 晶体极性 1．1．3 能带结构 1．2 氮化镓晶体缺陷 1．2．1 点缺陷 1．2．2 位错 1．2．3 层错 1．2．4 倒反畴界 1．3 氮化镓材料特性 1．3．1 光学特性 1．3．2 电学特性 1．3．3 热学特性 参考文献 第2章 氮化镓单晶材料生长的基本特性 2．1 生长动力学特性 2．1．1 热力学驱动力 2．1．2 传质输运 2．1．3 晶体生长机制 2．1．4 晶体生长形态 2．2 位错的产生与湮灭 2．2．1 失配位错产生机理 2．2．2 穿透位错 参考文献 第3章 氮化镓单晶制备的方法——氢化物气相外延生长法 3．1 发展历程 3．2 生长原理及装备 3．2．1 基本原理 3．2．2 HVPE生长过程的研究 3．2．3 HVPE反应器的分类及研究现状 3．3 应力及缺陷控制 3．3．1 应力控制 3．3．2 缺陷控制 3．4 掺杂技术 3．4．1 非故意掺杂 3．4．2 Si掺杂 3．4．3 Ge掺杂 3．4．4 半绝缘掺杂 3．5 氮化镓单晶衬底分离技术 3．5．1 自分离工艺 3．5．2 激光剥离 3．6 发展趋势 参考文献 …… 第4章 氮化镓单晶制备的方法——氨热法 第5章 氮化镓单晶制备的方法——助熔剂法 第6章 氮化镓单晶同质外延生长技术 第7章 氮化镓单晶材料的应用——光电器件 第8章 氮化镓单晶材料的应用——电力电子和微波射频器件