包邮太阳能电池材料与应用

目录
第1章 太阳能和太阳能电池材料 1
1．1 太阳能概述 1
1．1．1 太阳能的基本性质 1
1．1．2 太阳能的辐射和吸收 1
1．2 光伏发电 3
1．2．1 光伏发电简介 3
1．2．2 光伏发电的历史和现状 4
1．2．3 光伏发电在未来能源结构中的核心地位 6
1．3 太阳能电池 8
1．3．1 太阳能电池的类型和结构 8
1．3．2 太阳能电池研究和应用的历史与现状 11
1．4 半导体材料和太阳能电池材料 15
1．4．1 半导体材料 15
1．4．2 太阳能电池材料 16
参考文献 19
第2章 太阳能电池的物理基础 21
2．1 半导体物理基础 21
2．1．1 半导体材料的结构 21
2．1．2 载流子和能带 23
2．1．3 杂质和缺陷 27
2．1．4 平衡态载流子 31
2．1．5 非平衡载流子的产生与复合 36
2．1．6 载流子输运性质 44
2．2 半导体的p-n结 47
2．2．1 p-n结的结构和制备 47
2．2．2 热平衡下p-n结的能带结构 49
2．2．3 p-n结的伏安特性 50
2．2．4 异质结 52
2．3 金属-半导体接触 54
2．3．1 金属-半导体肖特基结 54
2．3．2 欧姆接触 56
2．4 光伏基本原理 58
2．4．1 光生伏特效应 58
2．4．2 太阳能电池伏安特性 59
2．4．3 太阳能电池的效率 59
2．4．4 太阳能电池效率分析 61
参考文献 66
第3章 晶体硅太阳能电池材料 68
3．1 硅的基本性质 68
3．1．1 晶体硅的能带结构和晶体结构 68
3．1．2 晶体硅的性质 69
3．2 晶体硅太阳能电池 70
3．2．1 常规晶体硅太阳能电池的结构和基本工艺 71
3．2．2 新型晶体硅太阳能电池的结构和工艺特色 77
3．3 多晶硅原料的制备 81
3．3．1 高纯多晶硅原料的制备 82
3．3．2 太阳能级多晶硅原料的制备 82
3．4 单晶硅的制备 84
3．4．1 区熔单晶硅 84
3．4．2 直拉单晶硅 85
3．5 铸造多晶硅的制备 88
3．5．1 铸造多晶硅的制备装置 89
3．5．2 铸造多晶硅的生长工艺 90
3．5．3 新型铸造晶体硅生长工艺 93
3．6 晶体硅的掺杂 94
3．6．1 分凝和分凝系数 95
3．6．2 掺杂 97
3．7 硅片加工 99
3．7．1 切割、切方块和滚圆 99
3．7．2 切片和化学腐蚀 100
3．8 晶体硅中的杂质和缺陷对太阳能电池的影响 103
3．8．1 晶体硅中的氧杂质 103
3．8．2 晶体硅中的碳 110
3．8．3 晶体硅中的氮 111
3．8．4 晶体硅中的金属杂质 113
3．8．5 晶体硅中的缺陷 117
3．9 氢钝化和吸杂 122
3．9．1 多晶硅材料的氢钝化 122
3．9．2 晶体硅材料的吸杂 123
参考文献 125
第4章 非晶硅和多晶硅薄膜太阳能电池材料 128
4．1 非晶硅薄膜的基本性质 129
4．1．1 非晶硅的结构 129
4．1．2 非晶硅的能带结构 130
4．1．3 非晶硅的基本特性 132
4．2 非晶硅薄膜太阳能电池 133
4．2．1 非晶硅薄膜太阳能电池的优缺点及其发展方向 133
4．2．2 非晶硅薄膜太阳能电池的结构和工作原理 134
4．3 非晶硅薄膜的制备 138
4．3．1 等离子体增强化学气相沉积制备非晶硅薄膜 138
4．3．2 其他方法制备非晶硅薄膜 146
4．4 非晶硅薄膜中的杂质和缺陷 148
4．4．1 非晶硅薄膜的掺杂 148
4．4．2 非晶硅薄膜中的氢 148
4．4．3 非晶硅薄膜中的其他杂质 149
4．5 非晶硅薄膜的光致衰减 150
4．5．1 非晶硅薄膜的光致衰减效应 150
4．5．2 非晶硅薄膜光致衰减效应的成因 150
4．5．3 非晶硅薄膜光致衰减效应的消除 152
4．6 非晶硅合金薄膜 153
4．6．1 非晶硅碳合金薄膜 153
4．6．2 非晶硅锗合金薄膜 154
4．7 多晶硅薄膜的基本性质和太阳能电池 155
4．7．1 多晶硅薄膜的晶体结构和基本特性 155
4．7．2 多晶硅薄膜太阳能电池的基本结构和工艺 156
4．8 多晶硅薄膜的制备 158
4．8．1 化学气相沉积制备多晶硅薄膜 158
4．8．2 非晶硅晶化制备多晶硅薄膜 161
参考文献 165
第5章 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池材料 167
5．1 GaAs材料的性质 167
5．1．1 GaAs的晶体结构 167
5．1．2 GaAs的能带结构 168
5．1．3 GaAs的基本特性 168
5．2 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池 170
5．2．1 Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳能电池的历史、现状和特点 170
5．2．2 GaAs薄膜太阳能电池的结构和工作原理 172
5．3 单晶GaAs的制备 181
5．3．1 布里奇曼法制备GaAs体单晶 182
5．3．2 液封直拉法制备GaAs体单晶 184
5．4 GaAs单晶薄膜的制备 185
5．4．1 LPE技术制备GaAs单晶薄膜 185
5．4．2 MOCVD技术制备GaAs单晶薄膜 187
5．4．3 MBE技术制备GaAs单晶薄膜 189
5．4．4 Ge、Si衬底上外延制备GaAs薄膜材料 190
5．5 GaAs晶体中的杂质和缺陷 192
5．5．1 GaAs晶体的掺杂 192
5．5．2 GaAs晶体中的其他杂质 194
5．5．3 GaAs晶体中的缺陷 196
5．5．4 GaAs晶体的氢钝化 197
参考文献 200
第6章 Ⅱ-Ⅵ和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物太阳能电池材料 202
6．1 CdTe、CdS、CIS、CIGS 等材料的结构和性质 203
6．1．1 晶体结构 203
6．1．2 CdTe、CdS、CIS 和CIGS的相图 204
6．1．3 CdTe、CdS、CIS、CIGS等的基本特性 206
6．2 Ⅱ-Ⅵ和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物太阳能电池 208
6．2．1 Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物太阳能电池的历史、现状和特点 208
6．2．2 Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物薄膜太阳能电池的结构和工作原理 210
6．3 Ⅱ-Ⅵ族和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物薄膜的制备及薄膜质量的控制 215
6．3．1 近空间升华法 215
6．3．2 电化学沉积法 220
6．3．3 化学水浴法 223
6．3．4 多元共蒸发法 228
6．3．5 金属预置层硒化、硫化法 232
6．3．6 其他方法 235
参考文献 237
第7章 新型薄膜太阳能电池 240
7．1 有机薄膜太阳能电池 240
7．1．1 有机薄膜太阳能电池的发展现状和展望 240
7．1．2 有机薄膜太阳能电池的电池结构和工作原理 242
7．1．3 有机薄膜太阳能电池基本参数 246
7．1．4 有机薄膜太阳能电池材料及其影响 247
7．2 钙钛矿太阳能电池 254
7．2．1 钙钛矿太阳能电池的发展历史和展望 254
7．2．2 钙钛矿太阳能电池结构和工作原理 256
7．2．3 钙钛矿太阳能吸光材料及其对电池的影响 260
7．2．4 电荷传输层和其对电池的影响 264
7．2．5 电极和其对电池的影响 266
参考文献 267