- ISBN:2200059000294
- 装帧:平装
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 开本:16开
- 页数:396
- 出版时间:2024-05-01
- 条形码:2200059000299
内容简介
以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、关西学院大学知名教授大谷昇、京都大学实力派教授木本恒畅和企业实力代表罗姆株式会社的中村孝先生为各技术领域的牵头,集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表,在各自的研究领域结合各自多年的实际经验,撰写了这本囊括碳化硅全产业链的技术焦点,以技术为主导、以应用为目的的实用型专业指导书。书中从理论面到技术面层次分明、清晰易懂地展开观点论述,内容覆盖碳化硅材料和器件从制造到应用的全产业链,不仅表述了碳化硅各环节的科学原理,还介绍了各种相关的工艺技术。本书对推动我国碳化硅半导体领域的学术研究和产业发展具有积极意义,适合功率半导体器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读,也可作为相关专业高年级学生的理想选修教材。
目录
《SiC/GaN功率半导体:封装和可靠性评估技术》
作者简介
菅沼克昭,日本大阪大学产业科学研究所教授,在国际上享有盛名。松波弘之1962年毕业于京都大学工学部,1970年获得工学博士,1976—1977年担任美国北卡罗莱纳州立大学客座副教授,1983年担任京都大学教授,2003年退休后担任京都大学名誉教授。专业:半导体材料工程学。大谷昇1984年完成东京工业大学物理学硕士课程,2008年担任日本关西学院大学教授。专业:碳化硅半导体材料的晶体生长以及缺陷物理学。木本恒畅1986年毕业于京都大学工学部。1988年进入住友电气工业公司伊丹研究所工作。2006年至今,担任京都大学教授。专业:半导体材料,器件。中村孝1990年进入罗姆公司,进行大规模集成电路的工艺开发。1996年获得京都大学工学博士学位。2003年至今,从事碳化硅功率器件开发工作。
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