8086微机原理及接口技术-习题解答与实验指导

bsp;前言
    前言
    “微机原理及接口技术”这门课程是掌握计算机软硬件技术的基础，是各大、专院校大
部分电类、机电类、生物工程等专业的计算机技术基础必修课程。该课程知识点多，初学者
常感到课程难理解、作业难下手、应用难入门。本书是教材《80x86／Pentium微机原理及接
口技术》的配套教材。书中通过大量习题，从不同角度阐述了计算机及接口的工作原理、
结构及应用方法。
    全书共分两部分：**部分为学习指导与习题解答。分为计算机基础、80x86及Penti—
um微处理器、80x86及Pentium指令系统、汇编语言程序设计、半导体存储器及其接口技
术、微型计算机接口技术、简单接口电路设计及可编程接口技术等，*后，提供了自测试
卷，帮助读者了解学习情况。为配合读者学习或复习微机原理及接口技术课程，每章首先给
出了本章的主要内容、重点及难点，通过单项选择、判断、填空、简答、分析及应用等习
题，强调基本原理、基本概念，给出其应用的基本方法。第二部分，为实验指导部分，首先
介绍了汇编语言程序的建立方法，其次介绍了实验操作平台及实验操作方法，设计了11个
软件实验和18个硬件实验。每个实验给出了实验要求、实验提示及实验思考，由浅人深，
引导读者通过实验加深对课程内容的理解，掌握计算机及接口的软件、硬件调试方法和设计
方法。在本书附录中给出了常用字符的ASCII码对照表、8086／8088指令一览表、MASM伪
指令一览表、DOS系统功能调用一览表、DEBUG常用命令一览表等，方便读者在学习和实
验过程中查阅。
    本书特点是题量大、概念清楚、结构紧凑、详略得当、一题多解、启发思路、面向应
用。通过大量的典型习题及详尽的分析与讲解，加深学生对基本原理的理解及基本知识的掌
握。全书程序均已通过调试，可直接在Pc上运行，硬件接口技术实验需借助于清华同方教
学仪器设备公司生产的TPC—H型通用微机接口实验系统完成。
    本书附录中附有*新逻辑符号国标对照表，请读者自行参阅。
    本书**部分由余春暄和施远征编写，第二部分由左国玉和余春暄编写，全书由余春暄
统稿，施远征完成全部内容的校对，左国玉完成部分章节内容的校对。郭铁男、丁蕾老师对
素材整理给予很大的帮助，李锋、李展鹏、彭靖漩、张明杰等参加了编写工作，蒋大林教授
审阅了全部书稿，并提出了宝贵的意见和建议，在此一并表示衷心感谢。
    由于编者的水平所限，书中难免有错误和不妥之处，请广大读者提出宝贵意见。
    编  者

 第5章  半导体存储器及其接口技术
5．1  学习指导
    本章主要内容和学习要求：
    1)存储器的分类及主要技术指标
    2)半导体存储器的结构与工作原理
    3)半导体存储器接口设计
    半导体存储器接口设计主要解决如何用容量少、位数少的存储器芯片构成一定容量、
定位数的存储区的问题。具体步骤如下：
    ①选片(确定半导体存储器芯片的类型和数量)。
    ②地址分配(列出每片存储器芯片占用地址范围的地址分配表)。
    ③地址译码(根据地址分配表找出规律，设计地址译码电路)。
    ④存储器与CPU信号连接(包括数据总线DB、地址总线AB、控制总线CB)。
    注意：8086和8088系统的存储器接口区别，8086／8088 CPU*大工作方式和*小工作
方式下的存储器接口区别。
    要求：了解各种存储器芯片的使用特点，在给出CPU、工作方式、存储器芯片、存储
区容量及起始地址等条件下，设计并画出半导体存储器扩充接口电路。
5．2单项选择题
1．下面为磁性材料的存储器是(    )。
    A．ROM    B．RAM    C．CD-ROM D．硬盘    E．U盘
【解】  D
2．下面为激光源读写信息的存储器是(    )。
    A．ROM    B．RAM    C．CD-ROM D．硬盘    E．U盘
【解】  c
3．下面不是半导体材料的存储器为(    )。
    A．ROM    B．RAM    C．硬盘    D．U盘
【解】  c
4．易失性存储器是(    )。
  A．RAM    B．PROM    C．EPROM D．E。PROM    E．Flash Memry
【解】  A
5．下列只读存储器中，可紫外线擦除数据的是(    )。
    A．PROM    B．EPROM    C．E2 PROM D．nash Memrv
【解】  B
6．下列只读存储器中，仅能一次写入数据的是(    )。
  A．PROM    B．EPROM    C．E2 PROM D．Flash Memry
【解】  A
7．关于SRAM叙述不正确的是(    )。
    A．相对集成度低    B．相对速度快
    c．不需要外部刷新电路    D．地址线行列复用
【解】  D
8．关于DRAM叙述不正确的是(    )。
    A．相对集成度高    B．不需要外部刷新电路
    c．是可读写读存储器    D．地址线行列复用
【解】  B
9．SRAM与DRAM比较，下面叙述中不是SRAM特点的为(    )。
    A．相对速度快    B．相对应用简单
    c．相对价格高    D．相对集成度高
【解】  D
10．80x86系统中，下面对存储器的叙述中错误的是(    )。
    A．内存储器由半导体器件构成  B．当前正在执行的指令应放在内存中
    c．字节是内存的基本编址单位  D．一次读写操作仅能访问一个存储器单元
【解】  D
11．存储字长是指(    )。
    A．存储单元中二进制代码组合  B．存储单元中二进制代码个数
    c．存储单元的个数    D．以上都是
【解】  B
12．起始地址从0000H开始的存储器系统中，10KB RAM的寻址范围为(    )。
    A．0000H～03FFH    B．0000H一1FFFH
    C．0000H～27FFH D．0000H～3FFFH
【解】  c
13．80x86系统中，实地址模式下的每个逻辑段*多存储单元数为(    )。
    A．IMB    B．256B    C．64KB D．1KB
【解】  c
14．256KB的SRAM有8条数据线，有(    )地址线。
    A．8条    B．18条    c．20条    D．256条
【解】  B
15．若CPU具有64GB的寻址能力，则CPU的地址总线应有(    )。
    A．64条    B．36条    c．32条    D．24条
【解】  B   
16二起始地址为1000H的16KB SRAM，其末地址为(    )。
    A_1 VFFH
 【解】 
17．若显示器的*高分辨率为1280*1024*24位，所需*小缓存为(    )。
    A．1MB    B．2MB    C．4MB D．6MB
【解】  c
18．构成128MB的存储空间需要16M*4bit的RAM芯片(    )片。
    A．16    B．32    C．64 D．128
【解】  A
19．用存储器芯片6264(8K*8bit)组成64KB存储空间，需要(    )片。
    2    B．4    C．8 D．16
【解】  c
20．某存储器芯片的存储单元数为8K，该存储器芯片的片内寻址地址应为(    )。
    A．A0-A10    B．A0～Al   C．A0-A12 D．A0～A13
【解】  c
21．在部分译码电路中，若CPU的地址线A12-A15未参加译码，则每个存储器单元的重复
  地址有(    )个。
  A．1    B．4    C．8 D．16
【解】  D
22．对存储器芯片的译码采用线选法，下面叙述正确的是(    )。
    A．有利于存储系统的扩展    B．线选线可同时低电平控制输出
    c．存储单元有重叠地址
【解】  c
23．对存储器芯片的译码采用全译码法，下面叙述不正确的是(    )。
    A．常需要外围逻辑芯片    B．有利于存储系统的扩展
    C．存储单元有重叠地址
【解】  c
24．用l片3-8译码器和多片8K*8bit SRAM可*大构成容量为(    )的存储系统。
    A．8KB    B．16KB    C．32KB D．64KB
【解】  D
25．存储器芯片片选电路采用的基本逻辑单元是(    )。
    A．反相器  ‘  B．触发器    C．三态门    D．译码器
【解】  D
26．在Pc机中，CPU访问各类存储器的速度由高到低为(    )。
    A．高速缓存、主存、硬盘、u盘B．主存、硬盘、u盘、高速缓存
    c．硬盘、主存、u盘、高速缓存D．硬盘、高速缓存、主存、U盘
【解】  A
27．高速缓存Cache的存取速度(    )。
    A．比主存慢、比外存快    B．比主存慢、比内部寄存器快
    c．比主存快、比内部寄存器慢  D．比主存慢、比内部寄存器慢