半导体异质结构与纳米结构表征

本书特色

本书是由意大利torino大学材料系carlo lamberti教授主编的，以意大利的大学教授为主体，包括欧洲其他国家：英国、法国、西班牙、瑞士及比利时学者共同编写的。全书共13章，内容是介绍表征异质结构，包括半导体异质结、超晶格，以及低维结构如ⅲ-ⅴ族化合物纳米线、量子点等——的结构性质与电子性质的分析手段和方法。这些性质主要是指在衬底上生长的异质表面层或异质材料问的界面、界面层(interlayer)特性。

内容简介

本书主要讨论了用于确定半导体量子阱和超晶格结构性质(结构、物理，化学、电气等)的专门表征技术。此外，介绍了采用**原理进行的模拟、建模方法，以及异质结构的电学与光学特性。
本书结构基于双重目标：以物理、化学，材料科学、工程学和纳米技术领域的本科生与研究生能够理解的程度，提供每一个被挑选的专门技术的基本概念；从*新的文献中挑选采用这些专门技术得到的*佳结果作为例子，这些技术用来理解半导体异质结构的性质。这些章节综合了基本概念的讲解和*有关联的创新例子的讨论。此外，有关量子阱、量子线和量子点的内容可以看作是将先进表征技术应用到亚纳米尺度下材料的结构与电学性质的实例。
在学术界与工业实验室内从事异质结构器件设计，生长，表征与测试的研究人员，也可以用作更为广泛的纳米技术领域的参考书。

节选