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- ISBN:9787030304797
- 装帧:暂无
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 开本:16开
- 页数:448
- 出版时间:2011-03-01
- 条形码:9787030304797 ; 978-7-03-030479-7
内容简介
光子学是一门研究光子的产生和运动特性、光子同物质的相互作用及其应用的前沿学科,硅光子学专门研究硅以及硅基异质结材料(诸如sige/si、soi等)等介质材料中光子的行为和规律,着重研究硅基光子器件的工作原理、结构设计与制造以及在光通信、光计算等领域中的实际应用.《硅光子学》共19章,分别介绍硅基光子学基础、应用和发展趋势;硅基异质结构和量子结构的物理性质、制备方法;硅基光子器件,包括硅基发光器件、探测器、光波导器件;硅基光子晶体、硅基光电子集成、硅基光?连以及硅基太阳能电池. 《硅光子学》可以作为高等院校高年级本科生和研究生的教材和参考书,也可作为半导体光子学、光电集成、光电子器件、信息网络系统、计算机光互连及相关技术领域的科研人员、工程技术人员的参考书.
目录
序
前言
第1章 引言
1.1 信息时代的前沿学科——光子学
1.2 硅电子学的发展和硅光子学的诞生
1.3 硅光子学——高科技的焦点
1.4 本书的内容
参考文献
第2章 硅锗的材料性质
2.1 引言
2.2 si、ge的晶体性质
2.2.2 晶格常数
2.2.3 si<sub>1-x</sub>ge<sub>x</sub>的晶格失配和临界厚度
2.3 能带结构
2.3.1 si的能带结构
前言
第1章 引言
1.1 信息时代的前沿学科——光子学
1.2 硅电子学的发展和硅光子学的诞生
1.3 硅光子学——高科技的焦点
1.4 本书的内容
参考文献
第2章 硅锗的材料性质
2.1 引言
2.2 si、ge的晶体性质
2.2.2 晶格常数
2.2.3 si<sub>1-x</sub>ge<sub>x</sub>的晶格失配和临界厚度
2.3 能带结构
2.3.1 si的能带结构
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作者简介
余金中,1965年毕业于中国科学技术大学物理系,1967年中国科学院半导体研究所研究生毕业,1991年获日本大阪大学工学博士学位。现任研究员,博士生导师。中国光子学会理事等。发表论文200多篇。享受国务院颁发的政府特殊津贴。
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