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图文详情
  • ISBN:9787030444943
  • 装帧:一般胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:其它
  • 页数:152
  • 出版时间:2015-06-01
  • 条形码:9787030444943 ; 978-7-03-044494-3

本书特色

由王姝娅、戴丽萍、钟志亲、王刚、杜江锋编* 的《微电子制造技术实验教程》是面向微电子及相关 专业的实验教程,以微电子器件制造过程为主线,重 点阐述学生在微电子制造技术学习中必须掌握的基础 知识和实验方法。第1、2章介绍清洗、氧化、扩散、 离子注入、光刻、刻蚀、沉积等相关制造工艺的基础 知识和基础实验,详细阐述各项单步工艺的实验原理 、实验设备、实验方法和步骤。第3章介绍微电子器 件制造过程中的物理性能测试实验和电学性能测试实 验。第4章介绍二极管、肖特基二极管、三极管、 cmos管、集成电阻器等器件的制造以及集成运算放大 器的参数测试、逻辑ic功能和参数的测试两个综合实 验。全书共28个实验项目,各实验相对独立,不同学 校可根据实际实验条件选用。   本书可作为高等院校微电子及相关专业的实验教 材,也可作为教师和一般微电子制造工程技术人员的 参考资料。

内容简介

本教材《微电子制造技术实验教材》是针对微电子相关专业的本科生的实验动手能力培养而编写的。本书涵盖了所有微电子制造及集成的基础知识和基础实验。包括硅片清洗、氧化、扩散、离子注入、光刻、湿法及干法刻蚀、薄膜沉积、物理测试、化学测试等基础知识和实验,同时介绍了二级管、三极管、电阻器、CMOS管等器件制造的综合性实验。本书的重点在于培养学生的动手能力,注重实验的操作。

目录

第1章  基础知识  1.1 硅片  1.2 清洗  1.3 氧化  1.4 扩散  1.5 离子注入  1.6 光刻  1.7 刻蚀  1.8 化学气相沉积  1.8 apcvd  1.8 lpcvd  1.8 pecvd  1.9 物理气相沉积    1.9.1 蒸发    1.9.2 磁控溅射第2章  基础工艺实验  2.1 清洗工艺实验    2.1.1 实验目的    2.1.2 实验原理    2.1.3 实验内容    2.1.4 实验设备与器材    2.1.5 实验步骤    2.1.6 注意事项    2.1.7 思考题  2.2 氧化工艺实验    2.2.1 实验目的    2.2.2 实验原理    2.2.3 实验内容    2.2.4 实验设备与器材    2.2.5 实验步骤    2.2.6 注意事项    2.2.7 思考题  2.3 扩散工艺实验    2.3.1 实验目的    2.3.2 实验原理    2.3.3 实验内容    2.3.4 实验设备与器材    2.3.5 实验步骤    2.3.6 注意事项    2.3.7 思考题  2.4 离子注入实验    2.4.1 实验目的    2.4.2 实验原理    2.4.3 实验内容    2.4.4 实验设备与器材    2.4.5 实验步骤    2.4.6 注意事项    2.4.7 思考题  2.5 光刻实验    2.5.1 实验目的    2.5.2 实验原理    2.5.3 实验内容    2.5.4 实验设备与器材    2.5.5 实验步骤    2.5.6 注意事项    2.5.7 思考题  2.6 湿法刻蚀工艺实验    2.6.1 硅刻蚀    2.6.2 湿法刻蚀实验    2.6.3 氮化硅的刻蚀    2.6.4 铝刻蚀  2.7 干法刻蚀实验    2.7.1 实验目的    2.7.2 实验原理    2.7.3 实验内容    2.7.4 实验设备与器材    2.7.5 实验步骤    2.7.6 注意事项    2.7.7 思考题  2.8 化学气相沉积实验    2.8.1 lpcvd制备si3n4、sio2薄膜及非晶硅薄膜    2.8.2 pecvd制备si3n4、sio2薄膜及非晶硅薄膜  2.9 金属薄膜制备实验    2.9.1 电子束蒸发工艺实验    2.9.2 磁控溅射工艺实验  2.10 金属剥离工艺实验    2.10.1 实验目的    2.10.2 实验原理    2.10.3 实验内容    2.10.4 实验设备与器材    2.10.5 实验步骤    2.10.6 注意事项    2.10.7 思考题第3章  基础测试实验  3.1 物理性能测试实验    3.1.1 sio2厚度测试实验    3.1.2 方块电阻的测量实验    3.1.3 结深的测量实验  3.2 电学性能测试    3.2.1 晶圆级二极管性能测试实验    3.2.2 晶圆级双极型晶体管性能测试实验    3.2.3 晶圆级mos管性能测试实验第4章  微电子制造综合实验  4.1 二极管制造实验    4.1.1 实验目的    4.1.2 实验原理    4.1.3 实验内容    4.1.4 实验设备与器材    4.1.5 实验步骤    4.1.6 实验注意事项    4.1.7 思考题  4.2 肖特基二极管制造试验    4.2.1 实验目的    4.2.2 实验原理    4.2.3 实验内容    4.2.4 实验设备与器材    4.2.5 实验步骤    4.2.6 实验注意事项    4.2.7 思考题  4.3 三极管制造实验    4.3.1 实验目的    4.3.2 实验原理    4.3.3 实验内容    4.3.4 实验设备与器材    4.3.5 实验步骤    4.3.6 实验注意事项    4.3.7 思考题  4.4 cmos管制造实验    4.4.1 实验目的    4.4.2 实验原理    4.4.3 实验内容    4.4.4 实验设备与器材    4.4.5 实验步骤    4.4.6 实验注意事项    4.4.7 思考题  4.5 集成电阻器制造实验    4.5.1 实验目的    4.5.2 实验原理    4.5.3 实验内容    4.5.4 实验设备与器材    4.5.5 实验步骤    4.5.6 实验注意事项    4.5.7 思考题  4.6 集成运算放大器参数测试实验    4.6.1 实验目的    4.6.2 实验原理    4.6.3 实验内容    4.6.4 实验设备与器材    4.6.5 实验步骤    4.6.6 思考题  4.7 逻辑ic功能和参数测试实验    4.7.1 实验目的    4.7.2 实验原理    4.7.3 实验内容    4.7.4 实验设备与器材    4.7.5 实验步骤    4.7.6 思考题主要参考文献
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