集成电路制造技术-原理与工艺-(第2版)

目 录

第0章 绪论
0.1 何谓集成电路工艺
0.2 集成电路制造技术发展历程
0.3 集成电路制造技术特点
0.3.1 超净环境
0.3.2 超纯材料
0.3.3 批量复制和广泛的用途
0.4 本书内容结构
第1单元 硅衬底
第1章 单晶硅特性
1.1 硅晶体的结构特点
1.1.1 硅的性质
1.1.2 硅晶胞
1.1.3 硅单晶的晶向、晶面
1.2 硅晶体缺陷
1.2.1 点缺陷
1.2.2 线缺陷
1.2.3 面缺陷和体缺陷
1.3 硅晶体中的杂质
1.3.1 杂质对硅电学性质的影响
1.3.2 固溶度和相图
本章小结
第2章 硅片的制备
2.1 多晶硅的制备
2.1.1 冶炼
2.1.2 提纯
2.2 单晶硅生长
2.2.1 直拉法
2.2.2 单晶生长原理
2.2.3 晶体掺杂
2.2.4 磁控直拉法
2.2.5 悬浮区熔法
2.3 切制硅片
2.3.1 切片工艺
2.3.2 硅片规格及用途
本章小结
第3章 外延
3.1 概述
3.1.1 外延概念
3.1.2 外延工艺种类
3.1.3 外延工艺用途
3.2 气相外延
3.2.1 硅的气相外延工艺
3.2.2 外延原理
3.2.3 影响外延生长速率的因素
3.2.4 外延掺杂
3.2.5 外延设备
3.2.6 外延技术
3.3 分子束外延
3.3.1 工艺及原理
3.3.2 外延设备
3.3.3 MBE工艺特点
3.4 其他外延方法 52
3.4.1 液相外延 52
3.4.2 固相外延 53
3.4.3 先进外延技术及发展趋势 54
3.5 外延缺陷与外延层检测 55
3.5.1 外延缺陷类型及分析检测 55
3.5.2 图形漂移和畸变现象 56
3.5.3 外延层参数测量 57
本章小结 58
单元习题一 58
第2单元 氧化与掺杂

第4章 热氧化
4.1 二氧化硅薄膜概述
4.1.1 二氧化硅结构
4.1.2 二氧化硅的理化性质及用途
4.1.3 二氧化硅薄膜中的杂质
4.1.4 杂质在SiO2中的扩散
4.1.5 二氧化硅的掩蔽作用
4.2 硅的热氧化
4.2.1 热氧化工艺
4.2.2 热氧化机理
4.2.3 硅的DealGrove热氧化模型
4.2.4 热氧化生长速率
4.2.5 影响氧化速率的各种因素
4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备
4.4 热氧化过程中杂质的再分布
4.4.1 杂质的分凝效应
4.4.2 再分布对硅表面杂质浓度的影响
4.5 氧化层的质量及检测
4.5.1 SiO2层厚度的测量
4.5.2 SiO2层成膜质量的测量
4.6 其他氧化方法
4.6.1 掺氯氧化
4.6.2 高压氧化
4.6.3 热氧化工艺展望
本章小结
第5章 扩散
5.1 扩散机构
5.1.1 替位式扩散（Substitutional）
5.1.2 填隙式扩散（Interstitial）
5.1.3 填隙-替位式扩散
5.2 晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程
5.2.1 基本特点
5.2.2 扩散方程
5.2.3 扩散系数
5.3 杂质的扩散掺杂
5.3.1 恒定表面源扩散
5.3.2 限定表面源扩散
5.3.3 两步扩散工艺
5.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素
5.4.1 硅中点缺陷对杂质扩散的影响
5.4.2 氧化增强扩散
5.4.3 发射区推进效应
5.4.4 横向扩散效应
5.4.5 场助扩散效应
5.5 扩散工艺条件与方法
5.5.1 扩散方法的选择
5.5.2 杂质源选择
5.5.3 常用杂质的扩散工艺
5.6 扩散工艺质量与检测
5.6.1 结深的测量
5.6.2 表面浓度的确定
5.6.3 器件的电学特性与扩散工艺的关系
5.7 扩散工艺的发展
本章小结
第6章 离子注入
6.1 概述
6.2 离子注入原理
6.2.1 与注入离子分布相关的几个概念
6.2.2 离子注入相关理论基础
6.2.3 几种常用杂质在硅中的核阻止本领与能量关系
6.3 注入离子在靶中的分布
6.3.1 纵向分布
6.3.2 横向效应
6.3.3 单晶靶中的沟道效应
6.3.4 影响注入离子分布的其他因素
6.4 注入损伤
6.4.1 级联碰撞
6.4.2 简单晶格损伤
6.4.3 非晶层的形成
6.5 退火
6.5.1 硅材料的热退火特性
6.5.2 硼的退火特性
6.5.3 磷的退火特性
6.5.4 高温退火引起的杂质再分布
6.5.5 二次缺陷
6.5.6 退火方式及快速热处理技术
6.6 离子注入设备与工艺
6.6.1 离子注入机
6.6.2 离子注入工艺流程
6.7 离子注入的其他应用
6.7.1 浅结的形成
6.7.2 调整MOS晶体管的阈值电压
6.7.3 自对准金属栅结构
6.7.4 离子注入在SOI结构中的应用
6.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术
本章小结
单元习题二
第3单元 薄膜制备

第7章 化学气相淀积
7.1 CVD概述
7.2 CVD工艺原理
7.2.1 薄膜淀积过程
7.2.2 薄膜淀积速率及影响因素
7.2.3 薄膜质量控制
7.3 CVD工艺方法
7.3.1 常压化学气相淀积
7.3.2 低压化学气相淀积
7.3.3 等离子体的产生
7.3.4 等离子增强化学气相淀积
7.3.5 CVD工艺方法的进展
7.4 二氧化硅薄膜的淀积
7.4.1 CVDSiO2特性与用途
7.4.2 APCVDSiO2
7.4.3 LPCVDSiO2
7.4.4 PECVDSiO2
7.5 氮化硅薄膜淀积
7.5.1 氮化硅薄膜性质与用途
7.5.2 LPCVDSi3N4
7.5.3 PECVDSi3N4
7.6 多晶硅薄膜的淀积
7.6.1 多晶硅薄膜的性质与用途
7.6.2 CVD多晶硅薄膜工艺
7.6.3 多晶硅薄膜的掺杂
7.7 CVD金属及金属化合物薄膜
7.7.1 钨及其化学气相淀积
7.7.2 金属化合物的化学气相淀积
7.7.3 CVD金属及金属化合物的进展
本章小结
第8章 物理气相淀积
8.1 PVD概述
8.2 真空系统及真空的获得
8.2.1 真空系统简介
8.2.2 真空的获得方法
8.2.3 真空度的测量
8.3 真空蒸镀
8.3.1 工艺原理
8.3.2 蒸镀设备
8.3.3 蒸镀工艺
8.3.4 蒸镀薄膜的质量及控制
8.4 溅射
8.4.1 工艺原理
8.4.2 直流溅射
8.4.3 射频溅射
8.4.4 磁控溅射
8.4.5 其他溅射方法
8.4.6 溅射薄膜的质量及改善方法
8.5 PVD金属及化合物薄膜
8.5.1 铝及铝合金薄膜淀积
8.5.2 铜及其阻挡层薄膜的淀积
8.5.3 其他金属薄膜和化合物薄膜
本章小结
单元习题三
第4单元 光刻
第9章 光刻工艺
9.1 概述
9.2 基本光刻工艺流程
9.2.1 底膜处理
9.2.2 涂胶
9.2.3 前烘
9.2.4 曝光
9.2.5 显影
9.2.6 坚膜
9.2.7 显影检验
9.2.8 刻蚀
9.2.9 去胶
9.2.10 *终检验
9.3 光刻技术中的常见问题
9.3.1 浮胶
9.3.2 毛刺和钻蚀
9.3.3 针孔
9.3.4 小岛
本章小结
第10章 光刻技术
10.1 光刻掩模版的制造
10.1.1 制版工艺简介
10.1.2 掩模版的基本构造及质量要求
10.1.3 铬版的制备技术
10.1.4 彩色版制备技术
10.1.5 光刻制版面临的挑战
10.2 光刻胶
10.2.1 光刻胶的特征量
10.2.2 光学光刻胶
10.2.3 其他光刻胶
10.3 光学分辨率增强技术
10.3.1 离轴照明技术
10.3.2 其他分辨率增强技术
10.4 紫外光曝光技术
10.4.1 接近式曝光
10.4.2 接触式曝光
10.4.3 投影式曝光
10.5 其他曝光技术
10.5.1 电子束曝光
10.5.2 X射线曝光
10.5.3 离子束曝光
10.5.4 新技术展望
10.6 光刻设备
10.6.1 接触式光刻机
10.6.2 接近式光刻机
10.6.3 扫描投影光刻机
10.6.4 分步重复投影光刻机
10.6.5 步进扫描投影光刻机
10.6.6 光刻设备的发展趋势
本章小结
第11章 刻蚀技术
11.1 概述
11.2 湿法刻蚀
11.2.1 硅的湿法刻蚀
11.2.2 二氧化硅的湿法刻蚀
11.2.3 氮化硅的湿法刻蚀
11.2.4 铝的湿法刻蚀
11.2.5 铬的湿法刻蚀
11.2.6 湿法刻蚀设备
11.3 干法刻蚀
11.3.1 刻蚀参数
11.3.2 多晶硅的干法刻蚀
11.3.3 二氧化硅的干法刻蚀
11.3.4 氮化硅的干法刻蚀
11.3.5 铝及铝合金的干法刻蚀
11.3.6 钨的刻蚀
11.3.7 干法刻蚀设