纳米级集成电路系统电源完整性分析
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- ISBN:9787111569879
- 装帧:暂无
- 册数:暂无
- 重量:暂无
- 开本:32开
- 页数:314
- 出版时间:2017-09-01
- 条形码:9787111569879 ; 978-7-111-56987-9
本书特色
进入21世纪以来,集成电路制造工艺的发展日新月异,目前已经进入到了前所未有的纳米级阶段。电源完整性作为系统级芯片设计的重要课题,直接影响到集成电路的可靠性、性能以及功耗。因此,本书作者以系统级电源完整性为切入点,深入探讨了电源完整性的影响、时钟产生及分布、输入/输出单元中的电源完整性设计、电源完整性建模、温度效应以及低功耗电源完整性设计等方面的问题,并以IBMPOWER7 处理器芯片作为实例进行分析,后针对新型碳纳米管互连元件在电源完整性中的应用做了简要讨论。
内容简介
进入21世纪以来,集成电路制造工艺的发展日新月异,目前已经进入到了前所未有的纳米级阶段。电源完整性作为系统级芯片设计的重要课题,直接影响到集成电路的可靠性、性能以及功耗。因此,本书作者以系统级电源完整性为切入点,深入探讨了电源完整性的影响、时钟产生及分布、输入/输出单元中的电源完整性设计、电源完整性建模、温度效应以及低功耗电源完整性设计等方面的问题,并以IBMPOWER7+处理器芯片作为实例进行分析,后针对新型碳纳米管互连元件在电源完整性中的应用做了简要讨论。
目录
原书前言
致谢
作者简介
本书作者及分工
第1章 集成电路电源完整性的重要性1
11 晶体管缩放和电源完整性退化过程1
111 恒定功率(CP)和恒定功率密度(CPD)缩放下电源完整性3
112 低功耗设计及电源完整性退化4
113 集成电路中的电源网格噪声5
114 电源完整性退化对I/O电路及信号完整性的影响8
12 电源完整性恶化的因素9
121 电源完整性退化对良率的影响9
122 减少电压扩展和增加功率11
123 制造及封装技术的增强和成本12
124 设计和验证成本13
125 不可持续的能源浪费13
13 参考文献14
第2章 电源和衬底噪声对电路的影响15
21 电源噪声和衬底噪声15
22 路径以及延迟单元和电源噪声17
221 路径延迟和电源噪声之间的关系18
222 组合单元延迟22
223 触发器时间特性25
23 耦合效应电路级时序分析28
231 难点28
232 电源噪声的时间和空间的相关性30
233 统计噪声模型32
234 个案分析34
24 模拟/射频(RF)电路的噪声影响37
241 电源噪声37
242 衬底噪声39
25 习题40
26 参考文献40
第3章 电源完整性中的时钟产生和分布42
31 时钟延时、偏移以及抖动42
32 用于时钟树的互连元件46
321 互连元件的寄生器件46
322 电感的定义46
323 电感提取47
324 互连元件仿真53
325 专用的感性互连元件55
326 信号传输时间和电感58
33 时钟树结构及其仿真60
331 时钟树结构60
332 工业级时钟分布网络应用63
34 电源噪声引起的时钟偏移64
341 串行电路中的电源噪声64
342 噪声敏感的时钟分布网络仿真65
343 在电压V和温度T变化的情况下,时钟偏移分析的实例66
344 与时钟偏移和电源噪声有关的其他工作71
35 时钟产生71
351 对与电源完整性有关的锁相环和延迟锁相环的讨论72
352 锁相环结构73
353 准则1:将锁相环与噪声进行隔离74
354 准则2:将单端电路以及物理版图设计为差分形式76
355 准则3:环路滤波器、偏置产生电路和压控振荡器的电源抑制比、
噪声设计78
36 数据通信的时钟提取80
361 开关式鉴相器80
362 数据恢复延迟锁相环和相位插值器81
37 总结81
38 参考文献81
第4章 I/O电路中的信号及电源完整性设计83
41 引言83
42 单端I/O电路设计84
目 录Ⅺ
421 同步开关输出噪声84
422 测量的同步开关输出噪声与仿真值的相关性87
423 片上电源分布网络的测量以及全局电源分布网络中的反谐振峰值89
424 信号完整性和电源完整性的联合仿真89
425 从专用集成电路芯片中所见的整体电源分布网络阻抗93
426 频域内的目标阻抗95
427 采用依赖于频率目标阻抗的信号衰减估计98
43 差分I/O设计99
431 差分I/O电路的信号完整性建模99
432 差分传输线、串扰噪声和通孔的影响100
433 机织玻璃纤维的共模转换101
44 三维系统级封装中的电源完整性设计和评估105
441 宽总线结构的优势106
442 三种层叠芯片和三维系统级封装配置107
443 完整的电源分布网络阻抗及其对同步开关输出噪声的影响113
45 总结118
46 参考文献119
第5章 电源完整性退化及建模121
51 背景121
52 电源完整性建模123
521 板级电源完整性123
522 封装管壳的电源完整性124
523 片上电源网格完整性124
53 电源完整性分析125
54 频域分析125
55 时域分析128
56 目标阻抗背景129
57 问题公式化130
58 *坏情况电源分布网络输出电压噪声130
59 无可实现性限制的阻抗131
510 具有可实现性限制的阻抗133
5101 一阶阻抗133
5102 二阶阻抗134
511 实际电源分布网络139
5111 无等效串联电阻的理想LC结构140
作者简介
作者简介MasanoriHashimoto:分别于1997、1999和2001年在日本京都大学获得通信和计算机工程学士、硕士和博士学位。自2004年起,在日本大阪大学的信息系统工程系从事教学和科研工作,目前是副教授。他的主要研究领域为片上电源噪声和信号耦合噪声的建模和测试工作。Hashimoto博士感兴趣的研究包括时序、功耗和信号完整性分析、超低功耗设计、可靠性设计、软错误建模、物理设计的高性能优化和片上高速信号产生。Hashimoto博士已经发表了200多篇期刊和会议论文,获得2004年ASP-DAC佳论文奖和2008年ASP-DAC大规模集成电路设计竞赛特别功能奖。他是IEEE、ACM、IEICE和IPSJ成员,也是数个国际会议的技术方案委员会成员,包括DAC、ITC、ICCAD、VLSI电路讨论会、ISPD、ASP-DAC、DATE、ICCD和ISQED。
RajNair:于1986年获得印度迈索尔大学电子通信工程学士学位,于1994年获得路易斯安那州立大学电气工程硕士学位。具有超过25年的工业和学术领域科研工作经验,在工程期刊和会议上发表大量的受邀论文和简报,得到同行的广泛好评。职业生涯一直从事电子和半导体相关工作,主要关注功率和功率传送,信号和电源完整性研究。在近的20年,RajNair创办了两个创业公司,主要从事显影硅、封装方面的知识产权和电源完整性相关的电子设计自动化软件。是之前一本关于集成电路电源完整性分析和管理方面著作的合著者,拥有超过40个授权专利,是半导体业、电源完整性和超大规模/3D集成方面的专家顾问。作者简介MasanoriHashimoto:分别于1997、1999和2001年在日本京都大学获得通信和计算机工程学士、硕士和博士学位。自2004年起,在日本大阪大学的信息系统工程系从事教学和科研工作,目前是副教授。他的主要研究领域为片上电源噪声和信号耦合噪声的建模和测试工作。Hashimoto博士感兴趣的研究包括时序、功耗和信号完整性分析、超低功耗设计、可靠性设计、软错误建模、物理设计的高性能优化和片上高速信号产生。Hashimoto博士已经发表了200多篇期刊和会议论文,获得2004年ASP-DAC佳论文奖和2008年ASP-DAC大规模集成电路设计竞赛特别功能奖。他是IEEE、ACM、IEICE和IPSJ成员,也是数个国际会议的技术方案委员会成员,包括DAC、ITC、ICCAD、VLSI电路讨论会、ISPD、ASP-DAC、DATE、ICCD和ISQED。
RajNair:于1986年获得印度迈索尔大学电子通信工程学士学位,于1994年获得路易斯安那州立大学电气工程硕士学位。具有超过25年的工业和学术领域科研工作经验,在工程期刊和会议上发表大量的受邀论文和简报,得到同行的广泛好评。职业生涯一直从事电子和半导体相关工作,主要关注功率和功率传送,信号和电源完整性研究。在近的20年,RajNair创办了两个创业公司,主要从事显影硅、封装方面的知识产权和电源完整性相关的电子设计自动化软件。是之前一本关于集成电路电源完整性分析和管理方面著作的合著者,拥有超过40个授权专利,是半导体业、电源完整性和超大规模/3D集成方面的专家顾问。
本书作者及分工MohabAnis:从2010年开始作为美国大学在开罗的教职人员,2003年至2010年作为加拿大滑铁卢大学的计算机工程终身教授。他发表和出版过超过150篇论文和3本著作,是9个国际期刊的编辑。Anis博士被授予安大略湖早期研究奖,由于卓越的研究成果获得了科尔顿奖章和IEEE国际低功耗设计奖,他在2002年获得滑铁卢大学计算机工程博士学位,他主要参与本书第7章编写。
Chung-KuanCheng:加州大学迭戈分校计算机科学与工程系教授,1991年获得加州大学迭戈分校工程学院NCR教学奖,在2000年成为IEEE会员,2004、2006和2007年获得IBM员工奖。在2013年获得加州大学迭戈分校卓越职工奖。主要参与第5~6章编写。
KianHaghdad:2011年获得加拿大滑铁卢大学电气与计算机工程博士学位,在2008年获得加拿大自然科学和工程委员会研究生奖。主要研究领域为功率和热完整性,低功耗电子学variation-tolerant设计,Haghdad博士2000年在加拿大安大略多伦多创立Hexocom公司,目前是该公司的工程师和董事长。主要参与第7章的编写。
MasanoriHashimoto:本书共同编辑,参与第1~3章和第8章的编写。
XiangHu:目前是高通公司功率完整性工程师,2010年到2013年是美国博通公司ASIC后端工程师。2012年获得圣地亚哥加利福尼亚大学计算机工程博士学位。主要研究方向包括功率分配网络的分析与优化。主要参与本书第5、6章的编写。
RajNair:本书共同编辑,主要参与第1、3和8章的编写。
MizuhisaNihei:分别于1990、1992和2006年获得日本仙台东北大学电气工程工学学士、工程硕士和博士学位。从1992年开始,在日本厚木富士通实验室工作。目前,在厚木国家先进工业科学和技术国家研究所从事石墨烯互连和热管理工艺研究。主要参与本书第10章的编写。
YasuhiroOgasahara:2008年获得日本坂田大学信息系统工程博士学位。目前在日本国家先进工业科学和技术国家研究所从事纳米电子学研究,主要从事新器件的电子集成研究工作。Ogasahara博士获得2008年ASP-DAC大学的大规模集成电路设计竞赛特别功能奖,是IEEE和IEICE成员。参与本书第3章的编写。
AmiraliShayan:2005年获得伊朗德黑兰大学电气工程学士学位,分别于2008年和2011年获得圣地亚哥加利福尼亚大学计算机工程硕士和博士学位。目前是圣地亚哥博通公司低功耗实现项目组成员,他的研究方向包括低功耗实现、管理和分配。主要参与本书第5、6章编写。
HowardHSmith:分别于1984年和1985年获得新西兰理工学院学士和硕士学位,1984年加入IBM,从事从封装电气设计和计算机体系分析到新处理器的片上信号和电源完整性分析工作,Smith先生目前是波基普西市IBM公司系统和工艺组传感器工程师,同时作为项目组长负责高集成度CMOS电路和芯片工艺电气分析工作。主要负责本书第9章的编写工作。
NavinSrivastava:在印度理工大学获得技术学士学位,加利福尼亚大学硕士和博士学位。在俄勒冈州威尔逊维尔MentorGraphics公司工作期间主要从事VLSI寄生参数提取和互连模型工作,他在超过25个高引用率的顶 级期刊发表论文并担任多个会议论文的审稿人。负责本书第10章的编写。
ToshioSudo:分别于1973、1975和2006年获得日本东北大学学士、硕士和博士学位。在1975年加入日本东芝公司,主要从事MCM工艺研究和发展,微处理器封装,高速信号完整性设计,功率完整性设计和CMOS大规模集成系统EMC设计工作。在2007年成为日本芝浦工业大学教授,在2004年成为IEEE会员。主要负责本书第4章的编写。
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