太阳能电池的硅晶体生长

名词缩写表 参数符号表 1硅原料 1.1概论 1.1.1主要技术路线 1.1.2杂质 1.2冶金级硅 1.3西门子法 1.4冶金法 1.4.1氧化去除硼 1.4.1.1铸桶提纯熔渣 1.4.1.2熔渣特性 1.4.2与水蒸汽反应去除硼 1.4.3真空处理去除磷 1.4.4凝固提纯 1.4.5溶剂提纯 1.4.6浸出去除杂质 1.4.7电解/电化学纯化 1.4.8沉淀去除夹杂 1.4.9过滤去除夹杂 参考文献 2切克劳斯基法 2.1概论 2.2热场设计 2.2.1功率和生长速率 2.2.2界面形状和热应力 2.2.3氩气消耗和石墨降解 2.2.4产额提升 2.3连续加料 2.3.1数次加料 2.3.2镀膜坩埚 2.3.3大尺寸和连续生长 2.4改善晶体质量 2.5小结 参考文献 3区熔法 3.1概论 3.2原料棒 3.2.1西门子法和硅烷法 3.2.2切克劳斯基法 3.2.3颗粒状原料 3.3区熔法的掺杂 3.4技术限制 3.5二次区熔法 3.6区熔法的潜力 3.7小结 参考文献 4定向凝固法 4.1概论 4.2控制结晶过程 4.3晶体中的杂质 4.4凝固的三维效应 4.5小结 参考文献 5铸锭单晶硅 5.1概论 5.2小平面枝晶 5.3平行孪晶 5.4枝晶生长理论模型 参考文献 6亚晶界 6.1概论 6.2亚晶界的结构分析 6.3亚晶界的电学特性 6.4亚晶界的产生机理 6.5小结 参考文献 7带硅生长 7.1概论 7.2带硅技术的各种类型 7.2.1第I类带硅 7.2.1.1边缘限制薄膜生长 7.2.1.2线带 7.2.2第II类带硅 7.2.2.1衬底带硅生长 7.2.3技术比较 7.3材料特性和太阳能电池工艺 7.3.1耐火材料 7.3.2带硅材料特性 7.3.2.1边缘限制薄膜生长和线带 7.3.2.2衬底带硅生长 7.3.3带硅太阳能电池 7.3.3.1带硅的氢化 7.3.3.2太阳能电池工艺 7.4小结 参考文献 8球形硅 8.1概论 8.2过冷熔体的晶体生长 8.3枝晶的分裂 8.4一步滴管法 8.5小结 参考文献 9液相外延法 9.1概论 9.2生长动力学 9.3溶剂和衬底的优化 9.3.1溶剂的选择 9.3.2衬底表面的自生氧化物 9.4实验结果 9.4.1外延层厚度和生长速率 9.4.2外延层的掺杂和电学特性 9.5多晶硅衬底上的生长 9.5.1太阳能电池特性 9.6低温液相外延法 9.7异质衬底液相外延法 9.8外延横向过度生长 9.9高生产速率液相外延法 9.10小结 参考文献 10气相外延法 10.1概论 10.2理论分析 10.2.1流体力学 10.2.2生长动力学 10.2.2.1气体中气流和衬底上气流 10.2.2.2生长速率 10.2.2.3边界层模型 10.3实验方法 10.3.1SiH2Cl2/H2系统 10.3.2外延层的掺杂 10.3.2.1掺杂水平 10.3.2.2掺杂分布 10.4外延生长设备 10.5小结 参考文献 11闪光灯退火 11.1概论 11.2实验设备 11.3热扩散长度 11.4相变 11.5辐照度控制 11.6制备太阳能电池 11.7多晶硅薄膜的微结构 11.8小结 参考文献 12铝诱导层交换 12.1概论 12.2总体技术 12.3动力学分析 12.4结构特性和电学特性 12.5渗透膜的影响 12.6理论模型 12.7光伏应用 12.8小结 参考文献 13热化学数据库和动力学数据库 13.1概论 13.2热化学数据库 13.2.1热力学描述 13.2.1.1元素和化学计量化合物 13.2.1.2溶液 13.2.1.3溶解度 13.2.1.4平衡分布系数 13.2.1.5退缩性溶解度 13.2.2典型实例 13.3动力学数据库 13.3.1杂质扩散率 13.3.2典型实例 13.4应用热化学数据库和动力学数据库 13.4.1溶解度和分布系数 13.4.2表面张力 13.4.3多晶硅中杂质的晶界分凝 13.4.4确定洁净区宽度 13.5小结 参考文献 英汉索引 汉英索引