模拟CMOS集成电路设计(第2版)/(美)毕查德.拉扎维/国外名校最新教材精选

第2版译者序
第1版译者序
第2版前言
第1版前言
第2版致谢
第1版致谢
作者简介

第1章 模拟电路设计绪论
1．1 模拟电路的重要性
1．1．1 信号的检测与处理
1．1．2 数字信号传输中的模拟设计
1．1．3 需求旺盛的模拟设计
1．1．4 模拟设计的挑战
1．2 研究模拟集成电路的重要性
1．3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1．4 本书的特点
1．5 电路设计的抽象级别

第2章 MOS器件物理基础
2．1 基本概念
2．1．1 MOSFET开关
2．1．2 MOSFET的结构
2．1．3 MOS符号
2．2 MOS的I-V特性
2．2．1 阈值电压
2．2．2 I-V特性的推导
2．2．3 MOSFET的跨导
2．3 二级效应
2．4 MOS器件模型
2．4．1 MOS器件版图
2．4．2 MOS器件电容
2．4．3 MOS小信号模型
2．4．4 MOS SPICE模型
2．4．5 NMOS与PMOS器件的比较
2．4．6 长沟道器件与短沟道器件的比较
2．5 附录A：鳍式场效应晶体管（FinFET）
2．6 附录B：用作电容器的MOS器件的特性
参考文献
习题

第3章 单级放大器
3．1 应用
3．2 概述
3．3 共源级
3．3．1 采用电阻作负载的共源级
3．3．2 采用二极管连接型器件作负载的共源级
3．3．3 采用电流源作负载的共源级
3．3．4 有源负载的共源级
3．3．5 工作在线性区的MOS为负载的共源级
3．3．6 带源极负反馈的共源级
3．4 源跟随器
3．5 共栅级
3．6 共源共栅级
3．6．1 折叠式共源共栅
3．7 器件模型的选择
习题

第4章 差动放大器
4．1 单端与差动的工作方式
4．2 基本差动对
4．2．1 定性分析
4．2．2 定量分析
4．2．3 带源极负反馈的差动对
4．3 共模响应
4．4 MOS为负载的差动对
4．5 吉尔伯特单元
参考文献
习题

第5章 电流镜与偏置技术
5．1 基本电流镜
5．2 共源共栅电流镜
……

第6章 放大器的频率特性
第7章 噪声
第8章 反馈
第9章 运算放大器
第10章 稳定性与频率补偿
第11章 纳米设计分析
第12章 带隙基准
第13章 开关电容电路导论
第14章 非线性与不匹配
第15章 振荡器
第16章 锁相环
第17章 短沟道效应与器件模型
第18章 CMOS工艺技术
第19章 版图与封装

索引