包邮半导体制造工艺 第2版

目录前言第1章绪论1.1引言1.2基本半导体元器件结构1.2.1无源元件结构1.2.2有源器件结构1.3半导体器件工艺的发展历史1.4集成电路制造阶段1.4.1集成电路制造的阶段划分1.4.2集成电路时代划分1.4.3集成电路制造的发展趋势1.5半导体制造企业1.6基本的半导体材料1.6.1硅——*常见的半导体材料1.6.2半导体级硅1.6.3单晶硅生长1.6.4IC制造对衬底材料的要求1.6.5晶体缺陷1.6.6其他半导体材料1.7半导体制造中使用的化学品1.8半导体制造的生产环境1.8.1净化间沾污类型1.8.2污染源与控制1.8.3典型的纯水制备方法本章小结本章习题第2章半导体制造工艺概况2.1引言2.2器件的隔离2.2.1PN结隔离2.2.2绝缘体隔离2.3双极型集成电路制造工艺2.4CMOS器件制造工艺2.4.120世纪80年代的CMOS工艺技术2.4.220世纪90年代的CMOS工艺技术2.4.321世纪初的CMOS工艺技术本章小结本章习题第3章清洗工艺3.1引言3.2污染物杂质的分类3.2.1颗粒3.2.2有机残余物3.2.3金属污染物3.2.4需要去除的氧化层3.3清洗方法3.3.1RCA清洗3.3.2稀释RCA清洗3.3.3IMEC清洗3.3.4单晶圆清洗3.3.5干法清洗3.4常用清洗设备——超声波清洗设备3.4.1超声波清洗原理3.4.2超声波清洗机3.4.3超声波清洗机的工艺流程3.4.4超声波清洗机的操作流程3.4.5其他清洗设备3.5清洗的质量控制本章小结本章习题第4章氧化4.1引言4.2二氧化硅膜的性质4.3二氧化硅膜的用途4.4热氧化方法及工艺原理4.4.1常用热氧化方法及工艺原理4.4.2影响氧化速率的因素4.5氧化设备4.6氧化工艺操作流程4.7氧化膜的质量控制4.7.1氧化膜厚度的测量4.7.2氧化膜缺陷类型及检测4.7.3不同方法生成的氧化膜特性比较本章小结本章习题第5章化学气相淀积5.1引言5.1.1薄膜淀积的概念5.1.2常用的薄膜材料5.1.3半导体制造中对薄膜的要求5.2化学气相淀积（CVD）原理5.2.1化学气相淀积的概念5.2.2化学气相淀积的原理5.3化学气相淀积设备5.3.1APCVD5.3.2LPCVD5.3.3等离子体辅助CVD5.4CVD工艺流程及设备操作规范5.5外延5.5.1外延的概念、作用、原理5.5.2外延生长方法5.5.3硅外延工艺5.6CVD质量检测本章小结本章习题第6章金属化6.1引言6.1.1金属化的概念6.1.2金属化的作用6.2金属化类型6.2.1铝6.2.2铝铜合金6.2.3铜6.2.4阻挡层金属6.2.5硅化物6.2.6钨6.3金属淀积6.3.1蒸发6.3.2溅射6.3.3金属CVD6.3.4铜电镀6.4金属化流程6.4.1传统金属化流程6.4.2双大马士革流程6.5金属化质量控制本章小结本章习题第7章光刻7.1引言7.1.1光刻的概念7.1.2光刻的目的7.1.3光刻的主要参数7.1.4光刻的曝光光谱7.1.5光刻的环境条件7.1.6掩膜版7.2光刻工艺的基本步骤7.3正性光刻和负性光刻7.3.1正性光刻和负性光刻的概念7.3.2光刻胶7.3.3正性光刻和负性光刻的优缺点7.4光刻设备简介7.4.1接触式光刻机7.4.2接近式光刻机7.4.3扫描投影光刻机7.4.4分步重复光刻机7.4.5步进扫描光刻机7.5光刻工艺机简介及操作流程7.5.1URE2000/25光刻机简介7.5.2光刻机操作流程7.6光刻质量控制7.6.1光刻胶的质量控制7.6.2对准和曝光的质量控制7.6.3显影检查本章小结本章习题第8章刻蚀8.1引言8.1.1刻蚀的概念8.1.2刻蚀的要求8.2刻蚀工艺8.2.1湿法刻蚀8.2.2干法刻蚀8.2.3两种刻蚀方法的比较8.3干法刻蚀的应用8.3.1介质膜的刻蚀8.3.2多晶硅膜的刻蚀8.3.3金属的干法刻蚀8.3.4光刻胶的去除8.4刻蚀设备8.5干法刻蚀工艺流程及设备操作规范8.6刻蚀的质量控制本章小结本章习题第9章掺杂9.1引言9.2扩散9.2.1扩散原理9.2.2扩散工艺步骤9.2.3扩散设备、工艺参数及其控制9.2.4常用扩散杂质源9.3离子注入9.3.1离子注入原理9.3.2离子注入的重要参数9.3.3离子注入掺杂工艺与扩散掺杂工艺的比较9.4离子注入机9.4.1离子注入机的组成及工作原理9.4.2离子注入工艺及操作规范9.4.3离子注入使用的杂质源及注意事项9.5退火9.6离子注入关键工艺控制9.7离子注入的应用9.7.1沟道区及阱区掺杂9.7.2多晶硅注入9.7.3源漏区注入9.8掺杂质量控制9.8.1结深的测量及分析9.8.2掺杂浓度的测量9.8.3污染本章小结本章习题第10章平坦化10.1引言10.2传统平坦化技术10.2.1反刻10.2.2玻璃回流10.2.3旋涂玻璃法10.3化学机械平坦化10.3.1CMP优点和缺点10.3.2CMP机理10.3.3CMP设备10.3.4CMP工艺流程及工艺控制10.3.5CMP应用10.4CMP质量控制10.4.1膜厚的测量及非均匀性分析10.4.2硅片表面状态的观测方法及分析本章小结本章习题第11章工艺模拟11.1引言11.1.1工艺模型11.1.2工艺模拟器简介11.1.3Athena 基础11.2氧化工艺模拟11.3淀积工艺模拟11.4光刻工艺模拟11