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宽禁带器件驱动电路原理分析与设计

宽禁带器件驱动电路原理分析与设计

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图文详情
  • ISBN:9787512436237
  • 装帧:一般胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:16开
  • 页数:268
  • 出版时间:2022-02-01
  • 条形码:9787512436237 ; 978-7-5124-3623-7

内容简介

本书介绍宽禁带电力电子器件的驱动电路原理分析与设计方法,内容包括:绪论;碳化硅器件的基本特性与电压型驱动电路原理分析;适用于碳化硅器件的典型驱动集成电路和集成驱动板实例分析;氮化镓器件的基本特性与驱动电路原理分析;适用于氮化镓器件的典型驱动集成电路和集成驱动板实例分析;宽禁带器件的特色驱动技术及其发展方向。 本书可作为高等院校电力电子技术、电机驱动技术以及新能源技术等专业的本科生、研究生和教师的参考书,也可供从事宽禁带器件驱动电路设计的工程技术人员以及应用宽禁带器件研制高性能电力电子装置的工程技术人员参考。

目录

第1章 绪论
1.1 硅器件的性能限制
1.2 宽禁带半导体材料特性
1.2.1 碳化硅材料
1.2.2 氮化镓材料
1.3 .宽禁带电力电子器件发展概况
1.3.1 SiC基电力电子器件
1.3.2 GaN基电力电子器件
1.4 宽禁带器件的驱动电路设计挑战
参考文献
第2章 碳化硅器件的基本特性及驱动电路设计考虑
2.1 SiC器件的基本特性与参数
2.1.1 通态特性及其参数
2.1.2 阻态特性及其参数
2.1.3 开关特性及其参数
2.1.4 栅极驱动特性及其参数
2.2 SiC器件对驱动电路的设计要求
2.2.1 SiC MOSFET对驱动电路的要求
2.2.2 其他SiC器件对驱动电路的要求
2.3 SiC MOSFET的电压型驱动电路设计方法
2.3.1 单管驱动电路
2.3.2 桥臂驱动电路
2.3.3 模块驱动电路
2.4 小结
参考文献
第3章 SiC MOSFET用栅极驱动集成电路
3.1 IXYS公司栅极驱动集成电路
3.1.1 IXDN609SI单通道高速驱动芯片
3.1.2 IXDD614YI单通道高速驱动芯片
3.1.3 IXDN630Y1单通道高速驱动芯片
3.2 Infineon公司栅极驱动集成电路
3.2.11 ED020I12-F2集成保护功能的单通道高速驱动芯片
3.2.21 EDI20H12AH集成保护功能的单通道高速驱动芯片
3.3 Rohm公司栅极驱动集成电路
3.3.1 BM6104FV-C集成保护功能的单通道高速驱动芯片
3.3.2 BM60051FV-C集成保护功能的单通道高速驱动芯片
3.4 ST公司栅极驱动集成电路
3.4.1 STGAP1AS集成保护功能的单通道高速驱动芯片
3.4.2 STGAP2D集成保护功能的双通道高速驱动芯片
3.5 Analog Devices公司栅极驱动集成电路
3.6 ON Semiconductor公司栅极驱动集成电路
3.7 NXP公司栅极驱动集成电路
3.8 小结
参考文献
第4章 SiC MOSFET集成驱动板应用举例
4.1 Cree公司栅极驱动板
4.1.1 CRD-001型SiC MOSFET单管栅极驱动板
4.1.2 CGD15SG00D2型SiC MOSFET单管栅极驱动板
4.1.3 PT62SCMD12型SiC MOSFET桥臂栅极驱动板
4.1.4 CGD15HB62P1型SiC MOSFET桥臂栅极驱动板
4.1.5 CGD15HB62LP型SiC MOSFET栅极驱动板
4.1.6 Cree公司CGD12HBXMP型SiC MOSFET桥臂栅极驱动板
4.1.7 CGD15FB45P型三相桥臂SiC MOSFET栅极驱动板
4.2 Rohm公司栅极驱动板
4.2.1 BM9499H型SiC MOSFET桥臂栅极驱动板
4.2.2 BP59A8H型SiC MOSFET桥臂栅极驱动板
4.3 Infineon公司栅极驱动板
4.4 ST公司栅极驱动板
4.4.1 EVALSTGAP1AS型 SiC MOSFET单管栅极驱动板
4.4.2 EVALSTGAP2DM型 SiC MOSFET桥臂栅极驱动板
4.5 Mircrosemi公司栅极驱动板
4.5.1 MSCSICMDD型SiC MOSFET桥臂栅极驱动板
4.5.2 MSCSICSP3型SiC MOSFET桥臂栅极驱动板
4.6 ON Semiconductor公司栅极驱动板
4.7 NXP公司栅极驱动板
4.8 小结
参考文献
第5章 GaN器件的基本特性与驱动电路设计考虑
5.1 GaN器件的基本特性与参数
5.1.1 eGaN HEMT的特性与参数
5.1.2 Cascode GaN HEMT的特性与参数
5.1.3 GaN GIT的特性与参数
5.2 GaN器件驱动电路设计挑战与要求
5.2.1 eGaN HEMT对驱动电路的要求
5.2.2 其他GaN器件对驱动电路的要求
5.3 GaN器件的驱动电路原理与设计
5.3.1 eGaN HEMT的驱动电路设计
5.3.2 Cascode GaN HEMT的驱动电路设计
5.3.3 GaN GIT的驱动电路原理与设计
5.4 小结
参考文献
第6章 GaN HEMT用栅极驱动集成电路及集成驱动器
6.1 TI公司栅极驱动集成电路
6.2 Silicon Labs公司栅极驱动集成电路
6.2.1 Si8271GB-IS单通道高速驱动芯片
6.2.2 Si8230双通道高速驱动芯片
6.3 Panasonic公司栅极驱动集成电路
6.4 Infineon公司栅极驱动集成电路
6.5 GalN集成驱动器实例分析
6.5.1 低压eGaN HEMT的驱动电路
6.5.2 高压eGaN HEMT的驱动电路
6.5.3 Cascode GaN HEMT的驱动电路
6.5.4 GaN GIT的驱动电路
6.5.5 CoolGaN HEMT的驱动电路
6.6 小结
参考文献
第7章 宽禁带器件驱动技术的发展
7.1 栅极主动驱动控制技术
7.2 高温驱动技术
7.2.1 分立元件高温驱动技术
7.2.2 SOI高温驱动技术
7.2.3 全SiC高温驱动技术
7.3 集成驱动技术
7.4 小结
参考文献
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