图解入门——半导体制造工艺基础精讲(原书第4版)

原书前言

半导体制造工艺全貌/

1-1半导体工艺简介/

1-2前段制程和后段制程的区别/

1-3循环型的前段制程半导体工艺/

1-4前端工艺和后端工艺/

1-5什么是硅晶圆？/

1-6硅晶圆是如何制造的？/

1-7硅的特性是什么？/

1-8硅晶圆所需的洁净度/

1-9硅晶圆在fab中的使用方法/

1-10晶圆的大直径化/

1-11与产品化相关的后段制程/

1-12后段制程使用的工艺是什么?/

2-1追求微细化的前段制程工艺/

2-2批量制造芯片的前段制程/

2-3在没有“等待”的工艺中进行必要的检查和监控/

2-4前段制程fab的全貌/

2-5fab的生产线构成——什么是Bay方式？/

2-6晶圆厂需要尽早提升良品率/

3-1始终保持洁净的清洗工艺/

3-2清洗方法和机理/

3-3基础清洗——RCA清洗/

3-4新清洗方法的例子/

3-5批量式和单片式之间的区别/

3-6吞吐量至关重要的清洗工艺/

3-7清洗后必不可少的干燥工艺/

3-8新的干燥工艺/

3-9湿法工艺和干法清洗/

4-1注入杂质的离子注入技术/

4-2需要高真空的离子注入工艺/

4-3用于不同目的的离子注入工艺/

4-4离子注入后的晶格恢复处理/

4-5各种热处理工艺/

4-6*新的激光退火工艺/

4-7LSI制造和热预算/

5-1复制图形的光刻工艺/

5-2光刻工艺的本质就是照相/

5-3推动微细化的曝光技术的演变/

5-4掩膜版和防尘薄膜/

5-5相当于相纸的光刻胶/

5-6涂布光刻胶膜的涂胶机/

5-7曝光后必需的显影工艺/

5-8去除不要的光刻胶灰化工艺/

5-9浸液曝光技术现状/

5-10什么是双重图形？/

5-11追求进一步微细化的EUV 技术/

5-12纳米压印技术/

6-1刻蚀工艺流程和刻蚀偏差/

6-2方法多样的刻蚀工艺/

6-3刻蚀工艺中不可或缺的等离子体/

6-4RF（射频）施加方式有什么不同？/

6-5各向异性的机理/

6-6干法刻蚀工艺的挑战/

7-1LSI功能不可或缺的成膜工艺/

7-2方法多样的成膜工艺/

7-3受基底形状影响的成膜工艺/

7-4直接氧化晶圆的氧化工艺/

7-5热CVD和等离子体CVD/

7-6金属膜所需要的溅射工艺/

7-7Cu（铜）布线不可缺少的电镀工艺/

7-8Low-k（低介电常数）膜所使用的涂布工艺/

7-9High-k栅极堆叠工艺/

7-10Cu/Low-k工艺/

8-1多层布线不可或缺的CMP工艺/

8-2采用先进光刻技术的CMP工艺/

8-3回归湿法工艺的CMP设备/

8-4消耗品多的CMP工艺/

8-5CMP的平坦化机理/

8-6应用于Cu/Low-k的CMP工艺/

8-7课题堆积如山的CMP工艺/

9-1什么是CMOS？/

9-2CMOS的效果/

9-3CMOS结构制造（之一）器件间隔离区域/

9-4CMOS结构制造（之二）阱形成/

9-5晶体管形成（之一）栅极形成/

9-6晶体管形成（之二）源极/漏极/

9-7电极形成（钨塞形成）/

9-8后端工艺/

10-1去除不良品的晶圆测试/

10-2使晶圆变薄的减薄工艺/

10-3切割出芯片的划片/

10-4粘贴芯片/

10-5电气连接的引线键合/

10-6封装芯片的注塑/

10-7产品的打标和引线成形/

10-8*终检验流程/

11-1连接时没有引线的无引线键合/

11-2无须引线框架的 BGA/

11-3旨在实现多功能的 SiP/

11-4真实芯片尺寸的晶圆级封装/

12-1路线图和“路线图外”/

12-2站在十字路口的半导体工艺微细化/

12-3More Moore所必需的NGL/

12-4EUV技术趋势/

12-5450mm晶圆趋势/

12-6半导体晶圆厂的多样化/

12-7贯通芯片的 TSV（Through Silicon Via）/

12-8对抗More Moore的三维封装/