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  • ISBN:9787040577648
  • 装帧:一般胶版纸
  • 册数:暂无
  • 重量:暂无
  • 开本:16开
  • 页数:443
  • 出版时间:2022-07-01
  • 条形码:9787040577648 ; 978-7-04-057764-8

内容简介

《模拟电子技术基础(第2版)》主要内容包括半导体器件基础、放大电路基础和集成电路基础三篇,半导体器件基础介绍二极管、双极型晶体管和场效应管的基本原理,强调外部特征和应用;放大电路基础阐述基本放大电路的构成、特点和应用,强调工程近似概念;集成电路基础包含集成运算放大器的构成、反馈、信号处理与产生、直流电源等内容,强调运算放大器的工程应用。 本教材可以作为高等院校电气类、自动化类、电子信息类各专业模拟电子技术基础课程的教材,也可作为工程技术人员的参考书。

目录

**篇 半导体器件基础 1 半导体二极管 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体的共价键结构 1.1.2 本征半导体及其本征激发 1.1.3 杂质半导体 1.2 PN结的形成及特性 1.2.1 载流子的扩散及漂移 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.3 PN结的伏安特性 1.2.4 PN结的反向击穿 1.2.5 PN结的电容效应 1.3 二极管 1.3.1 二极管的结构 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的主要参数 1.4 二极管电路例题 1.5 特殊二极管 1.5.1 稳压管 1.5.2 发光二极管 1.5.3 光电二极管 1.5.4 光电耦合器件 1.5.5 肖特基二极管 1.5.6 变容二极管 本章小结 自我检测题 习题 2 晶体管 2.1 BJT 2.1.1 BJT结构简介 2.1.2 放大状态下载流子的传输过程及电流分配关系 2.1.3 BJT共射接法时的伏安特性 2.1.4 BJT的主要参数 2.2 结型场效应管 2.2.1 结型场效应管的结构 2.2.2 结型场效应管的工作原理 2.2.3 结型场效应管的特性曲线 2.3 金属—氧化物—半导体场效应管 2.3.1 N沟道增强型MOSFET的结构 2.3.2 N沟道增强型MOSFET的工作原理 2.3.3 N沟道增强型MOSFET的特性曲线 2.3.4 N沟道耗尽型MOSFET 2.3.5 P沟道MOSFET 2.4 场效应管的主要参数 2.4.1 直流参数 2.4.2 交流参数 2.4.3 极限参数 本章小结 自我检测题 习题 第二篇 放大电路基础 3 模拟电子系统的基本问题 3.1 电信号 3.1.1 电信号的戴维南等效和诺顿等效 3.1.2 模拟信号和数字信号 3.2 模拟电子系统的基本分析方法 3.2.1 模拟电子系统的基本构成 3.2.2 模拟电子系统的图解分析法 3.2.3 模拟电子系统的简化模型分析法 3.3 放大电路 3.3.1 放大电路模型 3.3.2 放大电路的主要性能指标 本章小结 自我检测题 习题 4 基本放大电路 4.1 基本共射极放大电路 4.1.1 电路组成与工作原理 4.1.2 共射极放大电路的图解分析法 4.1.3 放大电路的简化模型分析法 4.2 放大电路的静态工作点稳定问题 4.2.1 温度对静态工作点的影响 4.2.2 射极偏置电路 4.3 共集和共基放大电路 4.3.1 共集放大电路 4.3.2 共基放大电路 4.3.3 三种组态放大电路的性能比较 4.4 场效应管放大电路 4.4.1 场效应管放大电路的静态分析 4.4.2 场效应管的微变等效模型 4.4.3 共源极放大电路 4.4.4 共漏极放大电路 4.4.5 共栅极放大电路 4.5 多级放大电路 4.5.1 多级放大电路的构成与耦合方式 4.5.2 多级放大电路的动态分析 4.5.3 几种组合放大电路 本章小结 自我检测题 习题 5 放大电路的频率响应 5.1 频率响应的基本概念 5.1.1 频率响应和通频带 …… 第三篇 集成电路基础 参考文献
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