集成电路工艺实验基础

目录
■ 章基础工艺
实验11真空技术/2 实验12硅片的清洗及氧化 /10 实验13光刻工艺流程实验教学/16 实验14氧等离子体刻蚀/20 实验15等离子体增强化学气相沉积/27 实验16磁控溅射法制备金属薄膜/33 实验17原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及
工艺流程/38
■ 第二章检测测量技术
实验21MOSFET器件特性的测量与分析/45 实验22椭圆偏振仪测薄膜厚度/51 实验23紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度/56 实验24傅立叶变换红外光谱法(FTIR)
测定硅中杂质氧的含量/62 实验25等离子体朗缪尔探针诊断技术/68 附录/74 实验26等离子体发射光谱诊断技术/78 附录/83 实验27质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验/84 实验28半导体二极管的伏安特性及温度特性/90 实验29ICCD器件的特性研究及应用/95 实验210四探针法测量相变材料的变温电阻曲线/104 实验211薄膜厚度和形貌测量/111
■ 第三章工艺基础及应用
实验31表面波等离子体放电实验/118 实验32脉冲放电等离子体特性实验/125 实验33低气压容性耦合等离子体特性实验/130 附录/135 实验34低气压感性耦合等离子体(ICP)特性实验/137 实验35等离子体晶格/141 实验36等离子体功能材料制备与光学性能检测/147 实验37低温等离子体染料废水处理实验/151 实验38低温等离子体产生O3及其应用的实验探索/160 ■ 参考文献/164