半导体器件技术套装(共5册)

1星价 ¥439.5 (7.3折)

2星价￥439.5 定价￥602.0

作者：菅沼克昭

出版社：其他

本类榜单：工业技术

分类：工业技术 > 电工技术

暂无评论

图文详情

ISBN：2200059000075
装帧：平装
册数：暂无
重量：暂无
开本：其他
页数：暂无
出版时间：2023-10-01
条形码：2200059000077

本书特色

全球走向碳中和，能带来节能效果的第三代半导体氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)无疑是未来的希望。第三代半导体能源转换效率能达到95%以上，在阳光能源、数据中心、5G、汽车电子等市场的应用值得期待，引起了学术界和产业界的高度重视，我国也将第三代半导体写入了“十四五”规划当中，本书的特点是每一章都由全球不同的从事GaN研究机构的专家撰写，引用了大量的代表*新成果的文献，因而其翻译和出版对于国内GaN方面的研究会起到积极的作用。本书适合于从事GaN技术研究的科研人员、企业研发人员，以及工程师阅读，也可作为微电子及相关专业的高年级本科生、研究生和教师的参考用书。

内容简介

本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。尽管特别环境中的材料退化机制尚未明晰，书中还是总结设计了新的封装材料和结构设计，以尽量阐明未来的发展方向。本书对于我国宽禁带（国内也称为第三代）半导体产业的发展有积极意义，适合相关的器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读。

《氮化镓功率晶体管：器件、电路与应用：原书第3版》
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
《碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术》
《氮化镓功率器件——材料、应用及可靠性》
《SiC/GaN功率半导体：封装和可靠性评估技术》

展开全部

本类五星书