现代模拟集成电路设计

第1章晶体管的长沟道模型 1.1MOS晶体管基本工作原理 1.2晶体管的电压电流关系 1.3晶体管工作区的划分 1.4晶体管本征电容 1.5晶体管寄生电容 1.5.1交叠电容 1.5.2pn结电容 1.5.3包含寄生电容的晶体管电容模型 1.5.4阱电容 1.6背栅效应 1.7本章小结 第2章放大器线性化分析 2.1基于晶体管大信号模型的放大器增益分析 2.2晶体管的小信号模型 2.2.1晶体管饱和区小信号模型 2.2.2晶体管线性区小信号模型 2.3基于晶体管小信号模型的放大器性能分析 2.4本章小结 第3章晶体管基本电路结构 3.1共源放大器 3.2共栅放大器 3.2.1输入输出特性 3.2.2输入输出阻抗 3.3共源共栅放大器 3.3.1共源共栅结构对电路增益的改善 3.3.2共源共栅结构对电路带宽的改善 3.4共漏放大器 3.4.1共漏放大器的频响特性 3.4.2共漏放大器的输入输出阻抗 3.4.3共漏 的应用 3.5电流镜 3.5.1基本电流镜 3.5.2共源共栅电流镜 3.5.3电流镜去耦 3.6本章小结 第4章晶体管的性能指标 4.1跨导效率、特征频率和本征增益的定义 4.1.1跨导效率的定义 4.1.2特征频率的定义 4.1.3本征增益的定义 4.1.4晶体管性能指...