嵌入式存储器架构、电路与应用

目录序前言第1章 绪论 11.1 什么是嵌入式存储器 11.2 存储器的组织架构 31.3 本书内容的章节安排 41.4 小结 5参考文献 5第2章 静态随机存储器 72.1 SRAM介绍 72.1.1 嵌入式SRAM 72.1.2 低电压SRAM 82.2 SRAM组织架构 102.3 6T存储单元 112.3.1 电路结构 112.3.2 Thin-cell版图 122.3.3 读操作 122.3.4 写操作 142.4 外围电路 152.4.1 译码器 152.4.2 灵敏放大器 172.5 传统SRAM遇到的挑战 212.5.1 稳定性挑战 212.5.2 SRAM的*小工作电压 222.5.3 读破坏 232.5.4 半选择破坏 242.5.5 读电流波动 252.5.6 NBTI和PBTI效应 262.6 低电压SRAM遇到的挑战 262.6.1 概述 262.6.2 *小功耗和*佳能耗操作 272.6.3 读电流衰减 292.6.4 开关电流比 302.6.5 位线漏电流 312.7 新型低电压存储单元 322.7.1 5T存储单元 332.7.2 单端6T存储单元 342.7.3 单端7T存储单元 342.7.4 8T存储单元 362.7.5 9T存储单元 402.7.6 10T存储单元 412.7.7 12T存储单元 422.8 外围辅助电路技术 432.8.1 存储阵列电源技术 432.8.2 地电平抬升技术 442.8.3 双轨电源技术 462.8.4 动态字线电压技术 472.8.5 负位线电压技术 482.8.6 脚踏管技术 492.8.7 单端灵敏放大电路 512.8.8 基准差分灵敏放大器 532.9 SRAM技术的其他应用 552.9.1 视频图像处理SRAM 552.9.2 寄存器文件 572.9.3 PUF技术 582.9.4 抗辐射加固SRAM 592.10 小结 61参考文献 61第3章 嵌入式动态随机存储器 693.1 1T1C eDRAM 693.1.1 单元结构 693.1.2 基本模块及相应操作 703.1.3 1T1C存储单元设计中的挑战 733.1.4 IBM在处理器中有关eDRAM的设计 793.2 Gain Cell eDRAM 813.2.1 2T GC eDRAM 823.2.2 3T GC eDRAM 833.2.3 4T GC eDRAM 843.2.4 基于OSFETs的GC eDRAM 853.3 HMC 863.4 小结 91参考文献 91第4章 嵌入式闪存 954.1 Flash的发展背景 954.2 eFlash的单元结构 974.2.1 浮栅结构的eFlash单元 974.2.2 电荷捕获型的eFlash单元 1034.3 嵌入式Flash的电路设计 1064.3.1 eFlash单元电路设计 1074.3.2 eFlash外围电路 1094.3.3 字线驱动温度自适应技术 1104.3.4 灵敏放大电路设计技术 1114.3.5 阶梯脉冲擦除技术 1164.4 小结 118参考文献 118第5章 新型嵌入式存储器 1215.1 新型存储器原理介绍 1215.1.1 ReRAM 1215.1.2 PRAM 1235.1.3 MRAM 1245.1.4 FeRAM 1265.2 选通器件及阵列设计 1275.2.1 场效应晶体管（NMOS或PMOS）选通器件 1275.2.2 双极型晶体管选通器件 1295.2.3 二极管或非线性选通器件 1315.3 新型嵌入式存储器的电路技术 1345.3.1 提高读写速度及带宽的电路技术 1355.3.2 提高读良率的电路技术 1435.3.3 提高写良率及可靠性的电路技术 1545.4 新型存储器的应用实例 1615.4.1 ReRAM应用实例 1615.4.2 PRAM应用实例 1625.4.3 MRAM应用实例 1635.4.4 FeRAM应用实例 1645.5 新型嵌入式存储器在计算方面的应用 1645.5.1 存储计算 1645.5.2 机器学习加速 1675.6 小结 169参考文献 169