微加工技术工艺原理与实验

**篇导论 第1章集成电路与微纳加工技术 1．1引言 1．2集成电路产业发展简史 1．3集成电路制造的发展路线 1．4集成电路制造的基本流程 第2章微加工工艺环境介绍 2．1微加工工艺环境的建设 2．1．1洁净室简介 2．1.2微电子工艺洁净实验室建设 2．2实验室安全与注意事项 扩展阅读： 《洁净室消防安全工作管理条例》 第二篇单项工艺1： 光刻 第3章光刻技术 3．1光刻技术介绍 3．2光学光刻技术 3．2．1光学曝光原理与方式 3．2．2光刻的关键指标 3．2．3分辨率增强技术 3．2．4光刻胶的类型和特性 3．3其他的光学曝光技术 3．3．1极紫外曝光 3．3．2X射线曝光 3．3．3激光扫描无掩模曝光 3．3．4反射镜阵列无掩模曝光 3．3．5LIGA技术 3．4非光学光刻技术 第4章光刻工艺实验 4．1工艺原理 4．2光刻工艺 4．3光刻实例 4．4光刻图形的检查和表征 4．5实验报告与数据分析 4．6思考题 扩展阅读： 仪器操作与说明 第三篇单项工艺2： 刻蚀 第5章等离子体与刻蚀技术 5．1刻蚀工艺介绍 5．2刻蚀工艺基础 5．3湿法刻蚀工艺 5．3．1介绍 5．3．2氧化物的湿法刻蚀 5．3．3硅的湿法刻蚀 5．3．4氮化物的湿法刻蚀 5．3．5金属的湿法刻蚀 5．4等离子体(干法)刻蚀 5．4．1介绍 5．4．2等离子体 5．4．3刻蚀工艺的分类： 化学、物理和反应离子刻蚀 5．4．4等离子体刻蚀机理 5．4．5等离子体刻蚀的腔室 5．4．6刻蚀终止点 5．5等离子体刻蚀工艺 5．5．1介质的等离子体刻蚀 5．5．2单晶硅刻蚀 5．5．3多晶硅刻蚀 5．5．4金属刻蚀 5．5．5光刻胶的去除 5．5．6无图案干法刻蚀工艺 5．5．7等离子体刻蚀的安全性 5．6化学机械抛光 5．7刻蚀工艺受参数影响的变化趋势
5．8等离子体刻蚀技术的发展 第6章刻蚀工艺实验 6．1工艺原理 6．1．1湿法刻蚀工艺原理 6．1．2干法刻蚀工艺原理 6．2湿法刻蚀工艺实验 6．2．1实验准备 6．2．2湿法刻蚀工艺流程 6．2．3实验记录 6．2．4注意事项 6．3干法刻蚀工艺实验 6．3．1实验准备 6．3．2干法刻蚀工艺流程 6．3．3实验记录 6．3．4注意事项 6．4实验报告与数据分析 6．5思考题 扩展阅读： 仪器操作与说明 第四篇单项工艺3： 薄膜制备 第7章薄膜制备技术 7．1薄膜基础知识 7．1．1微纳电子器件对薄膜的要求 7．1．2薄膜生长的基础知识 7．1．3薄膜制备的特性指标 7．2薄膜沉积技术简介 7．3物理气相沉积技术 7．3．1蒸发法 7．3．2溅射法 7．3．3蒸发和溅射的镀膜质量和改善方法 7．4化学气相沉积技术 7．4．1化学气相沉积的基本知识 7．4．2化学气相沉积工艺与设备 7．4．3典型材料的CVD工艺 7．4．4采用CVD技术制备一维/二维纳米材料 7．4．5原子层沉积技术 第8章薄膜制备工艺实验 8．1工艺原理 8．1．1磁控溅射工艺原理 8．1．2等离子增强化学气相沉积工艺原理 8．1．3原子层沉积工艺原理 8．2磁控溅射工艺 8．2．1实验准备 8．2．2磁控溅射工艺流程 8．2．3实验记录 8．2．4注意事项 8．3化学气相沉积工艺 8．3．1实验准备 8．3．2化学气相沉积工艺流程 8．3．3实验记录 8．3．4注意事项 8．4原子层沉积工艺 8．4．1实验准备 8．4．2原子层沉积工艺流程 8．4．3实验记录 8．4．4注意事项 8．5实验报告与数据分析 8．6思考题 扩展阅读： 仪器操作与说明 第五篇单项工艺4： 掺杂 第9章热处理和离子注入 9．1热处理工艺 9．1．1介绍 9．1．2热处理系统 9．2氧化工艺
9．2．1介绍 9．2．2氧化工艺的应用 9．2．3氧化前清洗 9．2．4热氧化的速率 9．2．5干法氧化 9．2．6湿法氧化 9．2．7高压氧化 9．2．8氧化层的测量 9．2．9氧化工艺的发展 9．3扩散掺杂工艺 9．3．1介绍 9．3．2扩散工艺步骤 9．3．3掺杂的测量 9．4离子注入掺杂工艺 9．4．1介绍 9．4．2离子注入的优点 9．4．3离子注入基础 9．4．4离子注入系统 9．4．5离子注入的安全问题 9．5热退火工艺 9．5．1离子注入后的热退火工艺 9．5．2快速热退火工艺 第10章热氧化和扩散工艺实验 10．1工艺原理 10．1．1热氧化工艺原理 10．1．2扩散工艺原理 10．2热氧化工艺 10．2．1实验准备 10．2．2热氧化工艺流程 10．2．3实验记录与测试 10．3扩散工艺 10．3．1实验准备 10．3．2实验过程 10．3．3实验记录与测试 10．4实验报告与数据分析 10．5注意事项 10．6思考题 扩展阅读： 仪器操作与说明 第六篇工 艺 集 成 第11章工艺集成与集成电路制造 11．1器件隔离 11．1．1PN结隔离 11．1．2LOCOS隔离 11．1．3STI浅沟道隔离 11．1．4DTI深沟道隔离 11．1．5SOI绝缘体上硅隔离 11．2金属互连和多层金属布线 11．2．1金属互连 11．2．2多层金属布线及工艺 11．2．3互连延迟问题与解决方法 11．2．4低K绝缘介质层 11．3欧姆接触和金属硅化物 11．3．1欧姆接触 11．3．2金属硅化物 第12章器件制造工艺及特性测试 12．1器件制造工艺原理 12．1．1电阻 12．1．2光电二极管 12．1．3MOSFET 12．2器件版图设计 12．3器件制备流程 12．3．1光电二极管 12．3．2NMOS管制备流程
12．4特性测试 12．4．1光电特性测量介绍 12．4．2特性测量实验 扩展阅读： 仪器操作与说明
参考文献