基于氮化镓的高频高效功率转换技术

结论 第1章 GaN体单晶衬底和Si基GaN外延 1.1 引言 1.2 GaN体单晶生长技术和衬底技术现状 1.3 GaN的同质外延 1.4 GaN的异质外延 1.5 Ⅲ族氮化物的异质结构 1.6 Ⅲ族氮化物中的压电场 1.7 Ⅲ族氮化物外延技术——金属有机气相外延 1.8 Si基AlGaN／GaN外延结构的构建 1.8.1 成核层 1.8.2 缓冲层 1.8.3 有源层 1.8.4 帽层和表面钝化层 1.9 结论 参考文献 第2章 横向GaN基HEMT器件及其结构 2.1 引言 2.2 常规GaN基HEMT器件 2.3 具有高迁移率的结构 2.4 抑制电流崩塌的结构 2.5 在高压状态下工作的结构 2.6 在常关型状态下工作的结构 参考文献 第3章 垂直型GaN基电力电子晶体管 3.1 引言 3.2 电流孔径垂直电子晶体管（CAVET） 3.2.1 CAVET的工作原理 3.2.2 功率开关中的CAVET 3.3 CAVET的开关特性 3.3.1 制造工艺的讨论 3.3.2 凹槽型CAVET 3.4 金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 3.4.1 基于再生长的MOSFET（OGFET） 3.4.2 OGFET的开关特性 3.5 结论 参考文献 第4章 GaN基功率器件的可靠性 4.1 关态经时退化机制 4.2 p型栅器件的经时失效 4.3 MIS-HEMT结构中正负偏置下的阈值电压不稳定性 4.3.1 MIS-HEMT器件正偏置阈值电压的不稳定性 4.3.2 MIS-HEMT器件负偏置阈值电压的不稳定性 4.3.3 恒定源极电流引起的退化 4.4 结论 参考文献 第5章 GaN基功率器件的鲁棒性验证 5.1 引言 5.1.1 GaN基功率晶体管特有的可靠性问题 5.1.2 GaN基功率晶体管的开关安全工作区（SSOA）