半导体锗材料与器件

0 导论
0.1 引言
0.2 历史沿革和重大事件
0.3 锗用作新型超大规模集成电路(ulsi)衬底：机遇与挑战
0.4 本书梗概
参考文献
1 锗材料
1.1 引言
1.2 体锗片的制备
1.2.1 锗原材料：供应及生产流程
1.2.2 锗晶体生长
1.2.3 锗片制造
1.3 goi衬底
1.3.1 背面研磨soi
1.3.2 以薄层转移技术制备goi衬底
1.4 结j沦
参考文献
2 锗中长入缺陷
2.1 引言
2.2 锗中本征点缺陷
2.2.1 本征点缺陷特性的模拟
2.2.2 有关空位特性的实验数据
2.2.3 voronkov模型对锗的应用
2.3 非本征点缺陷
2.3.1 掺杂剂
2.3.2 中性点缺陷
2.3.3 碳
2.3.4 氢
2.3.5 氧
2.3.6 氮
2.3.7 硅
2.4 直拉生长过程中位错的形成
2.4.1 热模拟
2.4.2 机械应力的发生
2.4.3 锗的力学性质
2.4.4 拉晶过程中的位错成核和增殖
2.4.5 锗中位错的电学影响
2.5 点缺陷团
2.5.1 空位团的实验观察
2.5.2 空位团形成的模型和模拟
2.6 结论
参考文献
3 锗中掺杂剂的扩散和溶解度
3.1 引言
3.2 半导体中的扩散
3.2.1 扩散机制
3.2.2 自扩散
3.3 锗中的本征点缺陷
3.3.1 淬火
3.3.2 辐照
3.4 在锗和硅中的自扩散和ⅳ族原子扩散
3.4.1 放射性示踪实验
3.4.2 锗中同位素作用和ⅳ族元素的扩散
3.4.3 掺杂和压力的影响
3.4.4 锗在硅中的扩散
3.5 锗中杂质的溶解度
3.6 锗中ⅲ、ⅴ族掺杂剂的扩散
3.6.1 ⅲ族受主的扩散
……
4 锗中氧
5 锗中金属
6 锗中缺陷从头计算的建模
7 锗中辐射缺陷及行为
8 锗器件的电学性能
9 器件模拟
10 纳米尺度锗mos栅介质和mos结
11 先进的锗mos器件
12 锗的其他应用
13 发展趋势与展望
附录